一步法电化学沉积CuInSe2薄膜的硒化过程研究及电池制备.pdfVIP

B．2l 一步法电化学沉积cuInse2薄膜的硒化过程研究及电涵制备 万磊，曹永胜，．乇德亮‘ (中国科学技术大学，合肥微尺度物质科学国家实验室安徽合肥230026) 摘要：用固态硒源在几乎密封的真空腔内，硒化一步法电化学沉积的Cu．In．2Se预制膜，制 备了CulnSe2(CIS)薄膜。为了得到能应用于太阳能电池上的致密、相均匀的CIS大晶粒薄 膜，利用X射线衍射、X射线荧光光谱、Raman光谱和扫描电子显微镜等表征手段，系统地 研究Tcls预制膜成分和硒化过程中衬底温度，对最终薄膜微结构和相组分的影响。研究表 明，不同前驱膜成分，在不同硒化条件下表现出完全不同的硒化反应过程。aS薄膜的最终 微结构和物相，对前驱膜成分、衬底温度和硒化升温曲线，极为敏感。富铜的预制膜晶粒 明显较大，但表面有类似凝固液体的富铜相。分析表明，类似凝固液体的表面相，是低熔 点的Cu。Se相，它在硒化过程中有效地辅助Tcls品粒生长。较低温度硒化时，出现六角片 状晶体CuSe相，它在1700C时开始形成，在高温和高硒蒸气压下，CuSe融化，是Cu、ln、 时，得到结晶性较好的黄铜矿相CIS薄膜， 太阳电池，这是国内第一家报导的可工作的电化学法制备CulnSe2太阳能电池。坫 1．简介 应用，在过去20年中得到广泛的关注【1】。用物理共蒸发法制备的小面积 同的技术成功地制备出CulnSe2薄膜，但由于成本高，可重复性差，仍没有一种 可以用于商业化大面积电池的生产技术。溅射技术适合沉积大面积薄膜，但是 需要价格昂贵的真空设备f3】。采用一步电化学沉积(ED)的非真空技术制备CIS 奉E—mai1： eedewang@ustc．edu．ca， Tel：0551—3600450 Fax：0551—3606266 212 薄膜是非常合适的，因为这种方法和共蒸发法相比成本低、可控性好，且可用 于沉积大面积薄膜【4】。世界上许多研究组都致力于电化学法制备CIS材料 f5．71。问题在于电沉积的CIS预制膜经真空热处理后结晶性和电学性质都比较差 积预制膜，可以得到大晶粒CulnSe2薄膜【9】。这种制备光吸收层的方法简单而经 济，而且避免使用高毒的H2Se气体，可以纳入商业化电池组件的生产线。但是 各种实验参数，例如预制膜成分、硒化时衬底温度、硒化反应的化学环境等对 最终薄膜的结构和电学性质还没有充分研究，而这些对于优化吸收层以及提高 CulnSe2太阳能电池的光电转化效率又是至关重要的。 本文中，Cu．In．2Se预制膜放在几乎完全封闭的石英管中用硒蒸气硒化，得到 黄铜矿结构的CulnSe2薄膜。预制膜是用电化学工作站一步电化学沉积得到的。 本文研究了预制膜成分和硒化条件对于薄膜结构和性能的影响。硒化后薄膜的 形貌、结构以及二元相的形成随不同硒化条件而剧烈变化。我41J锘JJ备了 Zno／CdS／CIS／Mo／Glass结构的太阳能电池。高转化效率的太阳能电池正在研究 中。 2．实验部分 Cu—In．2Se预制膜在玻璃容器装载的镀液中用一步电沉积法制备，镀液不搅 酸都是分析纯的。镀液的PH值是1．8。电镀采用恒电位法三电极配置。不锈钢片 作为对电极，饱和甘汞电极为参比电极。衬底是Mo箔，先用金刚石砂纸机械抛 光，再用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗。薄膜厚度采用计时电量法控制，并 由SEM验证。电镀后用去离子水冲洗并用A汽吹干。硒化热处理在一个准封闭 的石英管中进行，管内充满了硒蒸气，衬底温度在500．5500C范围，时间30分 钟。硒化过程中管内的硒蒸气过饱和。高硒蒸气压是得到大晶粒CIS薄膜的必要 条件，避免生成有害的二元相【10】。在短石英管内有样品托盘和一个装高纯固 体硒源(99．995％)的石英舟。硒化装置首先被抽到1×10～Ton，然后充入纯～ 气，保持在100Tort。硒化后，依次沉积50nm厚的CdS缓冲层(化学浴法)和 460nm厚的本征ZnO层(脉冲激光沉积法)【11，12】，以制备太阳能电池。本征 2；nO层是高阻的。在所有层沉积完之后，CIS太阳能电池在空气中2000C热处理 20分钟以提高电池的性能【13】。 光谱，采用LABRAM．HR微区Raman系统，激光光源波长514nm，光束直径 饥m；CIS薄膜成分用x射线荧光光谱和电感偶合等离子体光谱测出，前者的仪 器为SHIMADZUXRFl800X射线荧光光谱仪。CIS薄膜和电池的形貌采用扫描 电子显微图象表征(SEM)。 3．结