深亚微米PDSOI+nMOSFETs热载流子寿命研究.pdfVIP

2011年11月 第卜七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 中国三砭 深亚微米PDSOI 卜建辉，毕津顺，吕荫学，韩郑生 (中国科学院微电子研究所，北京100029) S01工艺，制备了深亚微米PDSOIH型栅 摘要：基于中国科学院微电子研究所开发的O．35¨m nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验，结果表明温度越高，热载流子退化越严重。以 饱和电流退化lO％为失效判据，采用衬底／漏极电流比率模型对器件热载流子寿命进行了估计，自 加热效应的存在使得S01热载流子寿命的预测变得复杂，为预测器件热载流子寿命提供了一种更 加精确的方法． 关键词：PDSOI；热载流子效应；自加热效应 1 引言 近年来，由于MOS器件尺寸的迅速减小而工作电压相对稳定，使得处于工作状态中的MOS器件的栅 可靠性的关键因素之一【l】。随着器件特征尺寸的减小、横向电场增大，器件工作在饱和区时，在高场区的 电子获得较高的能量成为高能电子，当电子的能量足够高的时候，其中一部分“幸运”电子越过Si．Si02势垒 成栅电流；而部分载流子注入至lJSi02层并被陷阱俘获形成陷阱电荷；另一部分载流子则在陷落以前以其能 量打开Si—o、Si—-H等处于界面上的键，形成受主型界面态。后面两个过程会导致陷阱电荷和界面电荷随 着注入时间而积累，影响听、g赫。、Z妇等参数，并产生长期的可靠性问题阳J。一般通过加速应力实验研 究热载流子效应，对于SOl器件，自加热效应的存在使得热载流子寿命的预测变得复杂。在做加速应力实 验时，器件的实际温度会上升，然而在实际电路应用中，由于频率较高，基本没有自加热效应[41。因此， 采用室温的加速应力实验数据预测室温下的热载流子寿命是不准确的，甚至会有很大差别，在预；测SOI器 件的热载流子寿命时必须去除自加热效应的影响。 2加速应力实验 实验中采用的器件为基于中国科学院微电子研究所开发的0．35 S01工艺制备的深亚微米抗辐照 lxm PDSOI H犁栅nMOSFETs。我们在25℃和125℃下，对W=10岫、L=O．35 应力实验。施加的应力条件选取方法如下：漏压的选取原则是大于正常工作电压、接近动态击穿电压，选 取三个漏压，然后固定漏压，扫描栅压，同时测试体电流，最大体电流所对应的栅压即为所需栅压。为了 获得比较准确的应力条件，分别对3个相同尺寸的nMOSFETs进行了此项测试，然后每个尺寸每种应力条 000s。由于器件的热载流子退化与所加应力时间 2个nMOSFETs进行加速应力实验)，所加应力时间均为5 s、21．54s、46．42s、100S、215．44s、464．168、1000s、2154．43s、 的对数成正比，因此在初始状态以及10 4641．59s、5000 s对输出曲线及转移曲线进行了测试，并记录加应力初始时刻的村底电流毛一。和漏电流 岛．。仃嘲。最后选取相同尺寸的nMOSFETs在漏压为工作电压的情况下扫描栅雎，记录衬底电流最大情况下 衬底电流如埘以及漏极电流如艘pJ。 实验结果及寿命预测 W=10 V、3．9V、3．8V。 lain、L=0．35gm的nMOSFET的址一民s曲线如图1所示，所加漏压分别为4 ．293． h建《等《Ⅱm米PDSOInMOSFET$热收流丁寿命研究 V处。热载流子效廊正比r漏电流和漏端横向电场。漏电雎越 由图1可以看出虽坏偏置都出现在％f】9 大，褥端横向电场越太，碰撞电离越强，斟此热载流子技J衄越严重。对r周定的漏压，’栅雕增大时，淘 道电流在增加，I列时在栅水的作用下，漏端横向电场在减小，嘲此热载流子效应在栅眶处1。中问某一值时