硼掺杂比对p型微晶硅薄膜生长特性的影响.pdfVIP

DOI：10．13290／j．cnki．bdos．2014．10．009 硼掺杂 比对 P型微晶硅薄膜生长特性的影响 李新利 ，马战红 ，任凤章 ，柳勇 ，孙浩亮 ，卢景霄 (1．河南科技大学 材料科学与工程学院，河南 洛阳471023； 2．郑州大学 材料物理教育部重点实验 室，郑州 450052) 摘要 ：采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备 了硼不同掺杂 比系列的P型微 晶硅薄膜。 采用光发射谱仪对薄膜的沉积过程进行 了原位表征 ，采用喇曼光谱和椭 圆偏振光谱仪对薄膜的结 构及性能进行 了分析。结果表明：随着硼掺杂比的增加 ，sin ，H 和H 的发射峰强度都呈现 出 先快速减小然后达到稳定状态的特点。在硼小剂量掺杂时，硼的催化作用促进 了薄膜的晶化 ；但 是随着硼掺杂比的进一步增加 ，薄膜 的晶化率下降。在薄膜生长过程 中，薄膜 的沉积速率和生 长指数 均随掺杂比的增加而增加，这主要是因为硼不仅促进 了薄膜生长还加速 了薄膜的粗糙 化 。 关键词 ：射频等离子体增强化学气相沉积；微 晶硅薄膜 ；硼掺杂；原位表征 ；生长机理 中图分类号 ：TN305．92 文献标识码：A 文章编号 ：1003—353X (2014)10—0763—05 EffectofBoronDopingCOncentration on P Typle M icrocrystallineSilicon Growth Characterastic LiXinli ，MaZhanhong ，RenFengzhang ，LiuYong ，SunHaoliang ，LuJingxiao (1．MaterialsScienceandEngineeringSchool，HenanUniversityofScienceandTechnology，Luoyang471023，China； 2．KeyLabDepartmentofPhysics，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou450052，China) Abstract：Borondopedhydrogenatedmicrocrystallinesiliconthinfilmswerepreparedbytheradio· rfequencyplasma-enhancedchemicalvapourdepositiontechniqueatvariousboron dopingconcentration． Theeffectsoftheboronconcentration on thegrowthprocess，microstructuralanddeposition rateofthe filmswere investigated by theopticalemission spectrum ，Raman spectrum and ellipticalpolarization spectrograph．Theresultsshow thatwith increaseofborondopingconcentration， theemissionpeak in— tensitiesofsin ，H andHBexhibitthefollowingbehaviors：firstqucklydecreases，andthencometoa stablestate．Thefilm crystallizingwaspromotinginlow doseborondopedforthecatalysiseffectofboron andthefilm relativecrystallinitydecreasedwhenrisingborondopingratio．Theseindicatethatduringthe film growthprocess，thedepositionrateandthegrowthindex areincreasingwiththerisingconcentra- tionofborondopingasthefunctionofboronon