碳源体积分数对BDD薄膜制备和性能的影响.pdfVIP

加工、测量与设备 Processing，MeasurementandEquipment 碳源体积分数对 BDD薄膜制备和性能的影响 张男男，檀柏梅 ，高宝红 ，程 川，杨志欣 (河北工业大学 微 电子研 究所，天津 300130) 摘要 ：以丙酮为碳源，采用热丝化学气相沉积 (HFCVD)技术在钽衬底上制备 P型硼掺杂金刚 石 (BDD)薄膜 电极。在 BDD电极制备过程 中，碳源体积分数对它的质量和性能影响很大。利 用AFM 和 XRD分析 了丙酮体积分数对 BDD 电极表面形态和成膜质量的影响。利用循环伏安法 研究 了采用不同体积分数 的丙酮沉积 的BDD 电极对 电化学窗21和背景 电流的影响。分别采用 BDD 电极和不锈钢 片作 阳极和阴极电解 K SO 溶液，并利用KMnO 滴定法检测 BDD 电极的氧 化效率。结果表明，优化丙酮体积分数可以提高 BDD的均匀性和 附着力。合适的丙酮体积分数 所制备的BDD 电极具有 电化学窗 口宽、背景 电流低和 电极氧化效率高等特 点，有很好的应用 前景 。 关键词 ：丙酮体积分数；热丝化学气相沉积 (HFCVD)；硼掺杂金刚石 (BDD)薄膜 ；电化学；氧化 效率 中图分类号 ：TN304．18；TN304．055 文献标识码：A 文章编号：1671—4776 (2()14)1 ()7_()4 EffectsoftheCarbon urceVolumeFractiononthePreparation and PropertiesofBoron DopedDiamondThin Films ZhangNannan，TanBaimei，GaoBaohong，ChengChuan，YangZhixin (InstituteofMicroelectronics，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin30013()，China) Abstract：W ithacetoneasthecarbonsource，thep-typeborondopeddiamond (BDD) thin film electrodeon tantalum substratewaspreparedbyhotfilamentchemicalvapordeposition (HF— CVD)technique．IntheprocessofpreparingtheBDD electrode，thecarbonsourcevolumefrac— tion hasagreatinfluenceonthequalityandperformanceoftheBDD electrode．Theeffectsofthe acetonevolumefraction on thesurface morphologyand thin film qualityofthe BDD electrode wereanalyzedbytheAFM andXRD．TheinfluencesoftheBDD electrodedepositedbydifferent volumefractionsofacetoneontheelectrochemicalwindow andbackgroundcurrentwereinvesti— gatedbythecyclicvoltammetry．TheBDD electrodeand stainlesssteelsheetswererespectively servedastheanodeandcathodetoelectrolyzeK2SO4solution，andtheoxidationefficiencyofthe BDD electrodewasdetectedbyKM nO4titration．Theresultshowsthattheuniform ityandadhe— sionoftheBDD canbeimprovedbyoptimizingthev