新型光导碲镉汞探测器表面钝化的研究.pdfVIP

新型光导碲镉汞探测器表面钝化研究 许蓉 (航天机电集周三院八三五八研究所天津 300192) 摘要：文中报导了一扦新型HgCdTe光导探测嚣钝化技术的研究及实验结果，介绍了新 型钝化膜的制备及XPS能谱分析、SME表面观测，并与传统阳极钝化膜进行了分析比较。实 验结果表明，新型钝化膜的应用比传统阳极钝化膜的器件在电阻值、响应率Dl、探剥率有 较大幅度提高，具体结果文章中给出． 1 引言 光导H[gCdTe探测器研制中最重要的因素之一是表面钝化技术．良好的表面钝化技术 对减少表面复合速度、增加少子寿命提高器件性能是至关重要的。所以，在器件制各工艺 中如何控制和降低探测器表面复合速度是光导工艺的首要任务。 根据窄禁带碲镉汞表面复合理论．光导器件常用的阳极氧化钝化膜．存在过强的表面电 荷积累，会引起表面能带弯曲，增加了表面的Auger复合速度。 在我们研制的叠层电极结构的光导器件中．采用双层钝化还是以阳极钝化为主，ZnS 做为增透膜及交叠区的介质膜，以增加器件的电阻值．但只有100Q左右，使提高器件性能 受到限制。因此，器件的关键工艺．表面钝化技术必须傲相应的调整。近年，美国人J Manhle鲫等人，提出了一种新的光导器件的表面钝化技术9，可使器件性能有几倍的提高。 该项新型钝化技术在国内未见报导，我们在现阶段研制器件的工艺基础上，采用了新 的钝化工艺进行反复的研究实验，确实收到了意想不到的效果，使器件电阻值提高50-100％， 响应率提高100．200％，探测率提高100．150％。同时对该钝化膜层进行了XPS(X射线电 子能谱)分析及SEM(扫描电镜)表面观测。 2新型钝化膜的制备，检测及实验结果 一般传统应用于光导器件豹阳极氧化膜是一个电化学过程，电解液为O．IM的KOH溶 液，溶剂为90％乙二醇和10％去离子水．阴电极为石墨板，在恒流条件下进行氧化，电流 u 密度约为300iv．／cm2，生长的氧化膜呈蓝色。 新型的钝化是一种纯自然化学氧化过程生长的介质摸，不需要外加偏置，没有电子过 程，典型的电解液包含两部分．一部分为每升去离子水中0．075～0．75moles，K3Fe(CN)6· 另一部分为0．06～0．6moles的KON溶液，膜的生长厚度由芯片暴露在电解液的时间决定。 2000 大约30分钟生长1000A。左右，生长的氧化膜呈暗红色。 在我们工艺流程的的钝化工艺中，采用两步钝化法，首先采用传统的阳极氧化法，生 A。 长1000 左右的钝化膜。第二步．采用不同摩尔浓度的K3Fe(CN)dK．OH溶液生长1000 A。左右的第二层钝化膜，但第二步钝化在流程工艺中采用顺序．对器件性能有不同程度的 影响。 我们分别对典型不同含量KjFe(CN)嘏OH摩尔浓度的溶渡生长的钝化膜进行了SEM (扫描电镜)进行了表面观测。 l懈品在摩尔浓度较高溶液中生长；2。样品在摩尔浓度较低溶液中生长。 18 圉1 1啭品在库尔浓度较高溶液中生长；r样品在摩尔浓度较低溶液中生长。 含较高K，Fe(CN)dKOH浓度下生长的样品的钝化膜表面不够光滑均匀，低浓度生长的 膜光滑性均匀性较好，但浓度太低膜生长太薄 利用XPSX射线电子能谱仪．对二种样品钝化层进行了化学组份分析，用Ar+离子溅 射刻蚀，作出了深度分布测量．给出了钝化膜层的XPS的深度分布．表1给出了主要元素 沿深度分布情况，围2给出经不同时间溅射后，下e元素的XPS谱圈。 表1主要元素沿深度的分布情况 样品 o Te Cd H2 1群(o) 45．63 O．78 3．64 49．95 l样(5) 49．00 10．91 10．55 29．53 1#(15) 48．” 17．33 18．57 15．83 1#(25) 40．33 2