GaP衬底和同质外延层相关的光致发光研究.pdfVIP

GaP衬底与同质外延层相关的光致发光研究 高瑛骆永石高汉江 I中■辩学院长●先拳■●机■与■—爵究所长●130啦!) 刘和初董跃进曹炳初 (膏■T幅厂膏■姗12) 丁祖昌 陈显峰 (酱缸太擎膏一蕞艟州31∞27) GaP衬虎是罔质外延生长GaP发光片量重要的原材搴斗，也是决定外置片成本和利润起 主导作用的因素．由于磷的蒸汽压高．生长时需要在高汪高压条件下液封直拉单^．目前 曩内只有北京有色金属研究总院德够批量提供簟■．虽然高质量的基础树辩容量脊刊高质 量的啦-但从价格和质量进行综台考虑。选择进口或国产衬底需要进行认真分折和正确 判断．我们从用户对外廷片的需要出发，反向思维瞢红和瞢绿发光外叠片对衬底的不啊要 求·比较了田产村底和进口村底的差距，跟踩研究了国产村底发晨趋势．确定了它们蕾代 进口衬底的可齄性．这是实现GaP L皿田产化必须解决的闫曩． GaP是阃接带醵材料．产生辐射跃迁必须有声子参加．因此衬底的发光很弱．测量GaP 村雇的光象发光比测量G廿外廷层或直接带隙村底的光象发光难度大樽多．田内GlP簟量 片相关文件(GJB3076-97磷化镓单晶片规范)主要提出Hall电学方法获得的’羹和检测 范圈．日奉树底也未给出相应的光学参数．为掌曩材底中杂质和缺陷及衷面均匀性对外瑟 层的影响，我们开展了光致发光为基础的徽区光致发光和光致发光hpping的研究，并通 过同炉外叠将比较的村底置于相邻位置试验验证．得出许多对单晶片和外匠片生产实I毫有 用的信息． 一．光致发光和同炉外延结果 1．田内外衬底的光致发光主要有两个谱峰， 田产衬底光致发光的绿峰强度相对红峰 强度有不同的变化：强、弱、无(圈I)． 田产村底光致发光强度和衰面均匀性 的离散性较进口的村底大． 剖 嘲 童 八^∥。∥A——_J 波 长忡0 圈1．不同GaP村雇的光致发光谱图 。∞。 2．通过同炉外延验证．国产衬底光谱中，红、绿峰的这种变化对红光外延片生长 工艺的影响较绿光外延片小，这归结于红、绿光外延片结构、发光中心和扩散 长度各不相同．国内村底基本满足红光外延片生产的需要。 二，用磨角澜试和微区光致发光分析衬底对绿光外噩片的影响． 1．将同一绿光外延片詹角分别测量衬底、过渡屡、外延层三者的光致发光。可以 麓寨到外延过程中对深能级所产生的红光谱的改善．也确定了光致发光和绿峰 都聋的村底更容易制成良好的外廷层． u 2．将激光光斑直径聚焦到1m左右．在绿光外延片横截面上，垂直于Dn结方向逐 点扫描，测出不同犀度点处的微区光致发光(图2)．从测量结果中，我们观察 u 到外延层表面(0m)和衬底(80 u_)都存在着深眈级产生的红光宽谨带，它们各 不相闻但又有相互叠加部分的影响．衬底中的深能级是由氧杂质和Ga空位与S 的复合缺陷所产生的．外延层衰面的红光则归结于磷空位相关的缺陷． 波 长佃n) 图2．G8P横截面上不同厚度点的徽区光致发光 三．将外延片的正面外延层)及反面(村底)进行光致发光扫描(PLMBpDing)，证实了外 延层的不均匀性部分和衬底不均匀性有关． 遥过GaP村底的光致发光及同炉外延的试验，我们对G8P村底中深能级的产生、识别 和控翻有所认识．明确丁田产村底的现状和改进方