电子束蒸发法制备几种三明治结构中巨磁电阻效应研究.pdfVIP

电子束蒸发法制备的，1种三明治结构中 。 巨磁电阻效应韧究 沈鸿烈，沈勤我，李铁，李冠雄，汪仲诚，邹世昌 H，国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点虫验室，上海200050) 摘要：本文报导电子柬蒸发法制备的几种兰明治中的巨磁电阻效应，研究j-不同 过渡层对三明治中巨磁电阻效虚的影响以及改变磁性层引起的效果 ～ 引 言 近年爿毛Co／Cu多层膜由于其显示出大的巨磁电阻(GMR)效应受到j．人们广泛的重 视f11，但过渡层对材料性能的影响似乎未引起人们足够的注意．尽管有人报道过过 ◆ 渡层对Co／Cu多层膜的巨磁电阻效应有很大影响f2】但也有不用过渡层同样获得j-较 大的GMK值的报道【3】．由于三明治是最基本的巨磁电阻多层膜结构，对它的研究有 助于真正r解过渡层的作用．同时，由于三明治结构具有信号响应度商工作时所需 退磁场小等特点，具有较大的实用价值 实验方法 实验中采用siiO》村底其电阻率为6pc“电子柬蒸发室的基本真空为5×1旷 rr蛔，工作真空度约为5×l矿mbar,靶材料的纯度均优于眵％蒸发速率控制在 o_05栅生长薄膜的厚度用石英晶振器原位测鸯样品的磁化曲线用振动样品磁强 汁测基巨磁电阻特性用四探针法在室温下测萤测量时电流的方向沿样品平面，与 外磁场方向垂直．巨磁电阻效应用下式定义△R依F∞-Rs)恹s其中Rs是饱和磁场下的 电阻值 实验结果与讨论 1，以cr为过渡层的三明治结构： 速增大到6．5‰o为蛔融搬达最大值7．5％口层厚度超过5咖后AR／Rs呈下降 认为AR／Rs值随过渡层厚度的增加而增加是由于多层膜的界面平整度得到厂改畿这 一点也由Park洒对同类系统做的TEM观测得到r验证(4j．至于前述关于过渡层作用的 不同报遣作者认为那种矛盾的现象只会出现在多周期的多层膜结构中．因为多周 期结构中，即使没有专门生长过渡屠近衬底处的几个周期层实际上会起到过渡层的 Cr出id∞椰“目 HfOe) 图1 Si／Cr[Co／Cu／Co-三明治中巨磁阻效图2 无过渡层(a)和有过渡屡(b) 应与Cr过渡层厚度的关系 三明治中的磁化曲线 作甩而对简单的三明治结构来说过渡层的作用是不a，忽略的，这从图1的结果司 以清楚地看到．Cr厚度超过5nra后G滁值随之减小的现氮町以认为是。过渡层的分 流效应所觋 上述样品中无过渡层和。为5tma时所对应的磁化曲线如图2所示．从图2(a)司 见无过渡层的样品星典型的铁磁耦合特性其饱和场约300e．而对于口为5rnn的样 品，则需要约3000e的外磁场使处于反铁磁耦合的相邻C0磁层变为铁礁耦合且达到饱 和．同时，该样品的矫顽力也增大到750e,这与co磁层生长在Cr层上有竞酏是Q为 5Im时所对应的三明治中的磁阻曲线与图20)类亿0饱和磁场约为3000岛样品在78 Oe时，处于反铁磁耦舍状态巨磁电阻效应达最大值7．5％．在磁场从0至Hc的范围 内，灵敏度约为0．07*／dOe． 阻曲线可见二者的GMR值有很大的差跳co层生长在Cr过渡层时三明治的GMR值 约4％，其灵敏度与上述Co／Cuba中类俄而反过来将N讲eCo磁层直接生长在。过渡层 上时1 GMR值剧减至1．6％尽管它的灵敏度提高到0盟慨由图5所示的磁滞回线可 740e’并且曲线呈分段磁化表明材料中两磁层的矫顽力有大的差跳这说明co磁 层直接生长在Q过渡层时其矫顽力有明显增大，而NjffcCo磁层则不然 ． ．6∞帅-2∞0200400旬O -3蚰-200-1000 100200300 Ⅱ(o时 目(oe， 图3cr为5rim时Co．u／Co图4Q√cl州IF州宴线阚IF雠u圮。囝5与困4中对应样品的磁