Si-%2c3-N-%2c4-薄膜的制备和结构成分研究.pdfVIP

Si，N4薄膜的制备及结构成分研究。 程绍玉 (中围科学院等离子体物理研究所合肥1126信箱) andStructuralof Film Preparation AnalysisSi3N4 Shao—yu Cheng ofPlasma of 23003 (1nstimte Physics，ChineseAcademySciences、Hefei1) AbstractMicrowaveElecLTon ResonaNce(ECR)PlasmaaSSisted CyclQtFOrt wasusedto ChemicM—Yapor—bepositiontechnology DreDareSi州·fi[ms， L whichworeanalzedusing The s lnfrared(IR)spectroscopyanalysi reSUltSshowedtnatthe the on is．thelowthe high oeposi_[1temDerature Hconcentratlons，andthehIzhthedenslflcationalqua¨tyofthefllm 1 S iiJm，ECR，paJ-【1C1e tad】a12】ondamage Ke丌ords：Si；N 摘要本文介耋(iJ。利用微渡EcR—rC、’D技术制备siah薄膜的工艺过程及沉积温 度对si。～薄膜的结构成分官々影啊。遁过红外光谱(TR)检测表明，随着沉积过 程中温度的提高：i、薄牲千H的台《迓渐减少．密度运冯i增大，致密性得到 显著提鬲。 关键词Si，H。薄膜．￡CR，粒子辖牙亏损伤 t引言 Si—N-薄膜是一种具育优良机械、光学和电学性能的硬质陶瓷膜…。由于这种薄膜具有 优良的耐湿性和热稳定性能、绝缘性能和台阶覆盖性能好、能抵御Ka+离子的侵蚀，其热导 翠比S10：太‘，在半导体集嵌电路制造中，司作为A1布线厉一种理想的最终表面保护膜”。。 但在集成电路芯片表面一沉椒保护睡，奠沉积温度必须低于400。c．以保证其能在Al线等 低熔点的材料上实施 屯沉积工艺中，还要避免高能粒子对芯片造成辐射损伤：沉积的湾 嚷致密、蒴腐。因此，“D、RF—PcvI、等技术均难以同耐嫡址这些要求…。 70年代发展起来的微波电子回旋共振(Electron Resonance)等离子体化学 CyclOLFON 气帽沉积技术，沉积温度低、沉胰质量盘J、无撮放电杂质曹量少、无鬲能粒子的辐射损伤 问题等其它工艺无与伦比的优点使其成为巧：秘半导体集成屯路器件晟终保护膜的最佳工 芝。。 本文介绍了坩微波E钾一PCVD技术沉坝5i，精薜麒的i：艺过摧，井通过IR等检捌手段， 对Si，N．薄膜的结掏成竹、化学计嚣比、ei告甘等与沉积舄腰的关系及性能进行分析研究。 2 Sia吼薄膜的制备 8 ^l、’弓 旨 譬 譬 每 皇 茸 to、_“Unl