λ-%2cP-%3d0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器.pdfVIP

u 入， 0．97m横向PIN结构锗硅光电探测器 郭辉郭维廉郑云光郝禄国李树荣吴霞宛 天津大学电信工程学院，300072 作横向叉指状PIN光电探测器。测试结果为：在垂直入射光照射下．其响应波长范围为O．5-1．29in，峰值响应 pA／IIm2， 波长为0．979in，在峰值响应波长的响应度为0．4川pw．在O—V的反向偏压下，其暗电流水平低于O．I 寄生电容小于lpF．与CMOS集成电路制作具有良好的兼容性· 关键字：cMos／soI；siG“si；《夏光电探测器；光探瓤 1．引言 OEIC’s 在光纤通信网络、光互连以及光信息存储、 si基单片光电集成电路 $i-based 传输和处理等系统中，具有很大的应用范围和潜在需求““。在OEIC’s中，光电探测器是不可 缺少的关键器件之一，要求具有高速、高可靠性、低成本、响应波长范围与入射光波长匹配、 响应度高、制作工艺与si徽电手工艺兼容性好等性能。由于si能带结构的局限性，在体si I．L um、峰值波长在0．85m附近的单片集成 或SOI村底上只能制作有效响应波长范围0．5--O．9 光电探测器”1．近年来．为了制作能够在更长波长下工作的单片集成Si基光电探测器．人们 纷纷采用SiGe／Si异质耋i!i]：艺和技术，利用先进的分子束外延 -田匹 或超高真空化学汽相淀 等工艺制作台面结构的光电探溅器．遥过改变Ge组份和SiGe应变层厚度等参数，调节应变 um波长范围工作的近红外光电探测器 SiGe层的禁带宽度和能带结构，获得了能在0．96~1．3 ””1．但在与集成电路．[艺的兼容性、响应度，暗电流等方面仍存在一些问题和缺陷。 我们采用UHV／CVD首先在SOI衬底上生长si缓冲层／应变SiGe／Si覆盖层结构，然后将芯 片进行CMOS／SOI工艺流水和后道fr艺，得到一种新颖的横向PIN锗硅光电探测器。测试结果 表明：在垂直入射光照射下，其响应波长范围为0．5—1．2“m，峰值响应波长为0．97pm，在峰 pA／pm2，寄生 值响应波长的响应度为0．4DA／pW。在3伏的反向偏压下，其暗电流水平低于0．1 电容小于lpF．器件的响应峰值波长与O．98妒波长激光器 LD 和发光二极管 LED 相匹 配，对工作于该波长附近的光互连、光探测有一定价值。 2．结构与制作 SOI 图l是所制作的光电探测器的结构示意图。选择的村底为P型键合SOI bonding um、0．4um。在生长SiGe薄膜之前，用热氧化和湿法腐蚀将项层Si膜减薄至约0．2llm，以 满足在衬底上同时制作部分耗尽∞S电路的需要．RCA清洗工艺后送入冷壁Ul v／cvD系统的 lira 生长室，在5×10_6P8的本底真空度和550℃温度条件下，依次生长①20Si缓冲层：②20 m 13m应变Si。矗e。。层③20Si覆盖屠，各层均不掺杂。然后进行a10S工艺流水．制作横向 PIN结构所需的光刻掩膜，分别制作在形成a自0S管芯所用的9块光刻版中的6块上面。图1 2， b 中所示的N+和P’指状条与m0S和PMOS管源漏注入同时形成，B+注入的剂量为5×10”cm pm，N．和P+指状 能量为60Kelr，；P+注入的剂量为5×10”cff2，能量为100KEY。指状条宽均为4 条间距 即I区宽度 为6Ⅱm。为激活注入杂质，消除注入损伤和致密LPCVD淀积的钝化氧 化层，用氧烘退火，条件为温度850℃，时阔30分钟。为提高受光面积，只在连接备指状条 118um2管芯面积 的那一部分N+区、P+区上面开引线孔 如图1 a 示，这样可以得到118x 的93％作为有效受光面积。合金后划片，固定在管座上，压焊引线后进行测试。整个工艺的最 ·530· 高加1：温度不超过850 3，以防JP应变Sin而en，层的驰豫和Ge的析出“2。…。 鹰变层 图1 a 探测器的顶视图 图1 b 探测器的剖面图 3．测试结果与讨论 为了解si缓冲层／应变si。拈e。层／Si覆盏层的生长质量，首先对其在室温下进行暗电流 测试。在O~4v范围。多次重复改变反向偏压 N+接电源正极、p-接电源负极 的大小，测得 总的漏电流水平|始终小于lnA，即小于0．IpA／pm2。说明生长的结构良好，位错密度极低，可 以检测弱入射光信号。 在3V反向俯压下，对探测器的光谱响应特性进行了测试，表J列出其中样管a豹实测值。 从表1可知，对应0．97pm波艮入射光，器件达到最大光响应电流值，以该值作为归一化因 子，可以得到圈2的归一化光响应曲线。测试结果显示．与si光电探测器相比，该探测器的 整个光响应曲线都有明显的红移，响应峰值从0．8舢m移动到0．97呻，在1．2pm处也有弱的 响应。