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基于倒扣技术的190～225GHz肖特基二极管高效率二倍频器.pdf
第 34卷第 1期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．34，No．1
2015年 2月 J．InflaredM illim ．W aves February，2015
文章编号：1001—9014(2015)01—0006—04 DOI：10．3724／SP．J．1010．2015．00006
A 190—-225GHzhigh efficiencySchottkydiodedoublerwith
circuitsubstrateflip-chipmounted
YAO Chang．Fei一 ， ZHOU Ming ， LUO Yun—Sheng ， KOU Ya—Nan
(1．ScienceandTechnologyOilMonolithicIntegratedCircuitsandModulesLaboratory，
NanjingElectronicDevicesInstitute，Nanjing 210016，China；
2．DepartmentofMicrowaveandMillimeterWaveModules，NanjingElectronicDevicesInstitute，
Nanjing 210016，China)
Abstract：A 190—225GHzhighmultiplyingefficiencyrfequencydoublerwasdevelopedwithdiscreteGaAspla—
natSchottkydiode．The50txm thickquartzcircuitsubstrateisflip—chipmountedfordiodethermaldissipation，as
wellasRF signalsandDC groundingeffectively．Diodeembeddingimpedanceswerecalculatedbyfull—wavea—
nalysiswithlumpedporttorepresentthenonlinearjunctionofrcircuitmatching．Thedoublerisself-biasingand
fix—tuned．Thehighesteffi ciency of9．6％ and corresponding outputpowerof8．25 mW were obtained at
202GHzwithpumpingpowerof85．5mW ．Thetypicaltestedefficiencyis7．5％ in 190～225GHz．Themulti—
plyingefficiencyfeaturesflatandbroadbandoperation．Thedoublerreachesthestate—of-hte—artperformancere—
portedworldwide．
Keywords：GaAsSchottkydiode，rfequencydoubler，terahertz，efficiency
PACS：84．30．Qi
基于倒扣技术的190—225GHz肖特基二极管高效率二倍频器
姚常飞 ，周 明，罗运生，寇亚男
(1．南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，江苏 南京 210016；
2．南京电子器件
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