准二维强耦合激子能量的温度依赖性.pdfVIP

维普资讯 第 29卷 第 7期 半 导 体 学 报 VO1．29 NO．7 2008年 7月 J0URNAL OF SEM ICONDUCTORS July，2008 准二维强耦合激子能量的温度依赖性* 额尔敦朝鲁 (河北科技师范学院数理系，秦皇岛 066004) 摘要 ：采用线性组合算符法和 LLP变分法研究 了晶格热振动和极化子效应对量子阱中激子与界面光学 (10)声子强耦合 又与体纵光学 (L0)声子弱、中耦合体系的基态和激发态的影响，推导出作为量子阱宽和温度函数 的激子基态能量的移动 和第一内部激发态能量的移动的表达式，以AgC1／AgBr／AgC1量子阱为例进行了数值计算．结果表明，由激子·10声子强 耦合所产生的激子基态能量移动和第一内部激发态能量移动随温度的升高而增大，而 由激子．LO声子弱、中耦合所产生的 激子基态能量移动和第一 内部激发态能量移动随温度 的升高而减小 ． 关键词 ：强耦合激子 ；能量移动；极化子效应 ；温度依赖性 PACC：6320K ；7138 中图分类号：O471．4 文献标识码 ：A 文章编号：0253—4177(2008)07·1318．08 器件的热学性能具有重要 的实际意义．2O世纪 8O年代 1 引言 报导了一些关于无限或半无 限晶体中极化子 的能量和 有效质量的温度依赖性的新工作口 ]．有趣 的是 ，在这 随着微纳制造技术的出现和 日臻发展 ，半导体异质 些理论研究中，由于采用不同的电子一声子耦合机制的 结和超晶格已在许多领域得到广泛应用 ，其应用范 围还 假设和不 同的理论近似，提供了两种完全相反 的结论． 将不断扩大．量子阱是超 晶格的基本组成单元 ，研究其 Saitoh[1用费曼路径积分法得出极化子的能量和质量 性质有助于探索超 晶格 的性质．特别是，半导体量子阱 随温度的升高而减小 ；而 Peeters等人Ll1则导 出了相反 具有大的激子结合能、大的光学非线性和快 的非线性响 的结果 ．后来 ，有不少的理论工作 也得到了与 Sai． 应速度 ，它在有源和无源光电子器件 中都具有广泛的应 toh相同的结果 ，而另一些工作口蚺则得到了极化子的 用[1]，因而，近年来 ，处于量子阱中的激子问题，尤其是 能量和质量 随温度 的升高而增加 的结论 ．对不同的物 激子．声子相互作用的问题备受 国内外关注，许多学者 质，实验结果也表明了相反的变化趋势[1．另外 ，Lee等 作 了大量有益的研究工作口 ]．然而 ，随着技术 的进步 ， 人[2。研“究发现，在半无 限大碘化钾晶体中，由电子一SO 本领域仍有一些值得关注的课题亟待研究．其 中比较典 声子强耦合所产生的极化子的 自陷能与电子．LO声子 型的有：(1)量子阱中激子一声子强耦合体系的问题 ．不 弱耦合所产生极化子的 自陷能随温度的变化趋势截然 难看出，上述工作大多都集中在激子一声子弱 、中耦合情 相反．本文作者曾对量子阱中强耦合极化子的温度效应 形．对于体极化子，弱中耦合理论适用于电子一体纵光学 进行 了深入细致的研究口船]．但是 ，迄今为止 ，人们对量 声子耦合常数小于 6的情形[1，而对于表面或界面极 子阱中激子一声子强耦合体系的温度依赖性的研究工作 化子这种限制约为 2．5_l．弱耦合理论对 Ⅲ一V族化合 尚无报道． 物材料无疑是正确的．但近年来 ，随着分子束外延等高 本文采用 Huybrechts线性组合算符法和 LLP变 新技术的发展 ，Ⅱ一Ⅵ和工．Ⅶ族化合物材料被广泛注意． 分法研究了晶格热振动和极化子效应对量子阱中激子 实际上，Ⅱ一Ⅵ和 工一Ⅶ族化合物材料