低成本无线电集成电路的集成问题.pdfVIP

低成本无线电集成电路的集成问题 廖家俊 (香港科技大学电子工程系) 摘要现今大众化的无线电产品很多均在1 2GHz之间。此等频率对于现代硅晶体管已不是难于达到。 但至今还未能看见大规模的高频电路集成在同一块硅片上面。这困难有三个原因：(1)无源元件质量较差{ (2)干扰；(3)不足的晶体管模型。本文我们总结一些这方面的研究，务求探讨以上同题和现时的解决办法。 关键词集成电路高频晶体管 Q值 1背景介绍 在不久之前，无线电通讯系统可说是凤毛麟角，只有少数人会用得到。可是，近年，我们能见到的私人无 线电产品可说是五花八门，各适其式。在香港这个弹丸之地，竟有超过200万部移动电话，对一个只有650万 人口的地方，无线电产品的普及实在惊人。 如此吸引的原因很大程度上是因为集成电路的成功。现在一个主要的问题便是如何进一步增加电路的集成 密度，从而进一步降低生产成本。 速度。剩下的问题主要有三个：(1)无源元件质量较差；(2)严重的干扰问题；(3)不足的高频率器件模型。 2高频无源元件 高频电路跟一般的数码和模拟电路有不同的无源元件要求。除了一般的电阻和电容外，高频电路亦需要 电感和可变电容，电感是用作过滤，匹配和加负载。可变电容则用在电压控制振荡器来调校频率。硅片上的 电感多是片面螺旋组成口]。片上电感的一个重要问题是它的Q值太低。Q值又与电感值成反比。低Q值会带 来过多的电子噪音和不精确的频率校对。就现代无线电系统而言，所需的电感在lnH至10nil之间。Q值和 电感量的关系口]，从一个高层次的角度来看，Q值和电感量的关系是容易理解的。当电感量增加的时侯，片上 螺旋电感电阻也会增加。能源消耗随之增加，Q值也必然下降。但这种理论却不能完全解释Q值。事实上，大 部份的能量是在硅片底层虚耗。在1996年，斯坦福大学便就此发表了一个公式来解释所有的现象。公式显示 能量消耗的来源。因此在玻璃上的片面螺旋电感也有高的Q值。电感问题的复杂驱使设计师把设计的过程分 福的方程式或电脑来估计和优化Q值。不幸地是，在现实中，Q值一般停留在l～10之间，因此第二个设计 步骤有时会被忽略。 在现时，研究人员往往还是要在和一个重要的问题斗争：怎样才能把Q值提高? 寻找如何把Q值提高的问题在最近几年的国际会议上可以看见。可以这样说，到现在还未能找到答案。 趣的文章，文章中电感是由一对变压器组成。两边的变压器均由片上螺旋电感组成“]。主要线圈是电感，辅助 电感的作用只作能源补偿。 换句话来说，当主要线圈损耗能量的时侯，电路便通过辅助线圈来补充。很高的Q值也可以达到D]。可是 这种办法还不知道是否真的实际。从我们最近在科技大学研究的结果看，只有在一个很狭窄的设计空间里才 会能做出这种高Q值的效果(图1)。 228—— 图1高Q值效果图 图2～个振荡器常有一组可 变电窖帮助决定振荡频率 所得之Q值是会因相相位角度和扩大量而改变。真正能得到高Q的设计空间不大。但若能设计准确所 得之Q值将会非常庞大。 可变电容设计是一个比较新的项目。可变电容的重要性在于它决定电压控制振荡器的素质。电压控制 振荡器的素质通常是用相位噪音来形容。在离开运输频率的一段距离我们度量频谱滑落了多少dB来形容 相位噪音。图2显示一种常用的电压控制振荡器的电路图口]。实验和理论均证明电压控制振荡器的相位噪音 跟电感的Q值成反比o]。所以可变电容的Q值确是非常重要。一般可变电容的Q值大概在15左右，集成可变 电容通常是由PN结合点组成。当集成电路工业再进～步趋向微形化的时侯，电阻应该减少，而Q值将会增 加。现在，我们的问题是在现有技术水平下怎样提高Q值。 图3实验测试结果 图4噪声和频率的美系 3晶片上的干扰 ∞ 我们要讨论的第二个同盾是干扰。干扰的原因可以有多 毫’ 个。而且，干扰的问题不一定是可以用距离分布来解决。第一种 。