碳纳米结构的荷能Ar离子溅射合成.pdfVIP

碳纳米结构的荷能心离子溅射合成 王震遐王玟珉 中国科学院上海原子核研究所800-204信箱上海201800Tel：021 藩要本文报导了离子柬轰击石墨表面，在表面形貌凸出部分生成了钠米结构物，并讨论了生成机制。 关键词离子束轰击HRTEM观察钠米结构物生长 在碳纳米管发现之后，由于这种纳米形成物的特殊结构和物理化学特性，以及其在技术 应用方面存在的诱人潜力而受到人们的重视，从而引起众多科学家投身于这方面的理论和实 验研究【l’t”，其中包括合成方法和形成机制的广泛探索。典型的通用合成方法是在氩气氛中 的石墨极间放电，其他生成碳纳米管和纳米结构(如多面体，类．富勒烯等)的方法还有：化 学蒸发14】。激光蒸发嘲和高能电子柬轰击【6】等等。最近有人用荷能氩离子辐照无定型碳灰生成 了纳米管，但我们独立地采用60keV氩离子溅射固体石墨靶，在表面形貌区观察到碳纳米管 和其他各种多壳层类-富勒烯产物p．8】。特别值得注意的是在溅射过程中产生的纳米形成物， 于石墨靶表面形貌须状突起物和溅射表面之间的关联特征。它表明一种新的纳米结构形成机 制，现简要介绍如下： Imm：．Ar+ 实验在本研究所的同位素分离器上进行。样品厚度约为100p，面积约为-2x 垂直入射在薄样品边缘如图l所示。束流通过液氮冷却管道和限流孔(010mm)后注入样品。 样品周围采用闭合式二次电子抑制装置，流强为100Ⅲt／cm2，总 过40。C．，离子轰击后，样品直接装入高分辨透射电子显微镜 (卸mM)进行观察分析。利用上述超薄样品侧面被轰击，可以 使样品边缘在约100pm厚度范围的侧面上，因离子轰击形成形貌 变化并同时生成碳纳米产物。将此样品用HRTEM直接观察，可 分析样品溅射表面须状突起物和纳米形成物之间的原位关联，找 图1 Ar+离子束轰击薄片石 到生长模式的迹象，从而研究其生长机制。 墨靶几何示意图 实验观察到的碳纳米形成物具有如下特点：(1)它们在离子 溅射表面上直接生出，或生长在表面须状突出物之上；(2)这些 形成物大都具有别的合成方法中极罕见的生长方式，例如从类纳米管中部向两端生长，以及 生长起始端埋于基体之中。 对一些典型的纳米形成物的生长机制，进行了初步讨论。离子轰击石墨表面生成须状 物现象已有人报道过[9l。但是，在须状物上同时生长碳纳米管，就我们所知，却是首次发 现。关于在溅射的石墨靶表面上直接生长碳纳米结构物，过去也从未见过报道。荷能离子 轰击石墨表面，有两种物理过程值得注意。首先，Ar+轰击可引起物理溅射，离子溅射也可 使原本平整的靶表面形貌化。一些形貌突起部分，会捕获从其周围基体区域或其它突起物 发射的溅射原子(其捕获率一般接近1)，同时这些被捕获的原子也将会在合适的位置、条 整的碳纳米形成物。其次，离子轰击可以增强靶表面的原子扩散，其中包括靶基体原子和 捕获原子的增强扩散。这些扩散原二产不但是须状突起物生长的重要来源，而且在一定条件 下可能也是纳米结构增长的重要补充。由此可见，荷能离子轰击石墨靶表面产生的碳纳米 形成物，是在溅射原子和扩散原予共同作用之下生成的，我们的实验结果给出了一些相关 的明证。 202 参考文献 l 199l354：56 Slijlma-N蛐r 2WADHccr，WSBacsa，AChaPlain．dal Scieno=．1995；268：845 al 3Vlvanov，JB Lambin，cL Le位．1994：223：329 Nagy．Ph Che札Phys 4MYudasaka．＆Kik眦hl，TMa*,sui．eLaiApplPhys．19