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图ITiH!一84C系统烧结体系的X衍射图谱
中未报导。M．Bousoum的实验从配料开始都是在Ar气氛保护的条件进行的，而我们的实
验过程除了烧结过程都能够与空气直接接触。由于Ti的活性较高又不能形成致密的氧化膜
导致Ti粉在使用过程中发生了氧化，在以后的烧结过程中这些氧化物与B；C会发生化学反
应。有CO，气体放出阻碍了烧结的进行。TiH：．B。C系统不存在上述现象，这是由于常温下
TiH2本身不易被氧化，商温条件下TiH：分解产生的H2包围在Ti周围，将之与O：隔离开，
因此TiH：B。C系统中Ti的氧化问题不严重。最终获得了高致密度的陶瓷材料。
表2．两种原料系统烧结产物的性能比较
．．煎挠绳曼…燕烹强壤她!也。熙型韧挂刚鱼：磐旦。．煮廛}哦照》．
552．45±22．26
Al 6．49±0．64 4116
Bl 78I．64±5I．30777±l，14 4．337
A2 386．79±19266．97±0．34 4．158
B2 610．38±23．428．79±0．42 4．362
表2给出了两种原料系统烧结产物的性能比较．可以看出TiH：-B。C系统较Ti·B。C系
统性能有了较大的提高。这一方面是如前所述Ti的氧化造成的，另～方面Till：分解后获得
的Ti的活性较高，反应进行得较完全。图2给出了Al和Bl两种配方的反应自由能△G随
温度的变化。可以看出在较低的温度范围内Ti．戡C原料系统的反应自由能小于TiH：一BaC原
性能的Ti．B．C复合陶瓷材料．实验结果也证实了这一点。
温度(K)temperature
图2两种系统反应自由能的比较
4．结论
(I)．TiH2．B4C与Ti-B4C两种原料系统均可以获得TiBrTiCx复合陶瓷材料。
复台陶瓷材料。
(3)．从热力学观点看TiHrB。C系统在高温较Ti．B。C更易发生化学反应。
参考文献
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Ti
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