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2004年8月，瞳 ，F十罩J●?■化●。■r■_|¨黼*．■L毫●‘件和光■J●—呻术●啦
置，F九■★■■霄埔‘—‘学术●·议
脉冲激光沉积法合成Bi：Ti：0，介电薄膜及其光吸收特性4
林元华 王建飞 何泓材 周剑平 周西松 南策文
(清华大学材料系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 北京 100084)
摘要：控制单脉冲能量350mJ，脉冲频率为5Hz，控制合适的基底温度，利用脉冲激光沉积法制备出Bi撙2q薄膜材
化比较稳定，介电损耗约O015左右，并且在紫外波段200nm-450nm有着较强的紫外吸收能力，有望在微电子器件
中获得应用。
关键词：Bi2Ti207脉冲激光沉积法 介电性能 光吸收垴憾
ofDielectricT埘nFilmPllIsedLaser Methodits
and
Preparation Biz碣07 by Deposition
OpticalAbsorptionProperties
LinYuanhua JianfeiHe Zhou Zhou NanCewen
Wang Hongcai Jianping Xisong
(StateKeyLaboratoryofNewCeramics Scienceand
Engineering，TsinghuaUniversity,Beijing，100084，P．R．China)
Abstract：Dielectricthinfilmsale the laser whilecontrolledthe
Bi2n207 synthesized
by pulseddeposition
of Hz，andsuitablesubstrate results
energysinglepulse一350mJ，thepulsefrequency-5 temperature．The
indicatesthatthe and films beobtainedasthe
Can Si02subslrate was
pure homogeneous temperature
controlledinthe of500-．6000C．Thedielectric about fbr吐lc
range constantis 18．2 BIT-3film
sample．and
thedielectriclossisabout have
0．015，and dielectricfilmhas
goodfrequencystability．The good
inthe of200nm一450nm Callbeattractivefor
absorptivityrange wavelength，which technological
fortheMEMSdevices
a
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