第七章磁电传感器详解.ppt

某霍尔式压力计中，弹簧最大位移为±1.5mm 控制电流I=10mA，要求传感器输出电动势为±20mV 选用霍尔元件灵敏度系数KH= 1.2mV/(mA?T) 求所要求线性磁场在弹簧伸缩方向的梯度为多大 UH = KH BI B= UH / (KH I)=±20/(1.2×10)=±1.67T ΔX=±1.5mm时要求 磁场强度变化ΔB=±1.67T 因此磁场梯度为 ΔB/ΔX=±1.67T/±1.5mm=1.11T/mm 第二节 磁敏电阻 一、磁阻效应 某些半导体材料在磁场作用下，不但产生霍尔效应，而且其电阻值也随磁场变化，这种现象称之为磁阻效应。 引起电阻变化的原因有二，其一是材料的电阻率随磁场增加而增加，称为磁阻率效应；其二是在磁场作用下，通过磁敏电阻电流的路径变长，因而电极间电阻值增加，这种现象称为几何磁阻效应。 目前实用的磁阻元件主要是利用半导体的几何磁阻效应。 几何磁阻效应示意图 （a）L/W＜1 （b）L/W＞1 （c）柯比诺元件 半导体材料的几何磁阻效应与材料的几何形状和尺寸有关 由于柯比诺元件为盘形元件，其两电极为圆盘中心和圆周边，电流在两电极间流动时，受磁场影响而呈涡旋形流动，霍尔电场无法建立，因而柯比诺元件可以获得最大磁阻效应，但其电阻值太小实用价值不大。 将长方形磁阻元件的L/W比值减小，磁阻效应RB/R0也相应增大，但零磁场下的电阻值R0也要变小。 几何形状与磁阻变化特性 为了获得较大的磁阻效应而又有足够大的R0，实际上采用L/W＜1的多个元件串联 平面电极磁敏电阻 平面电极磁敏电阻通常是在锑化铟（InSb）半导体薄片上，用光刻的方法制作多个平行等间距的金属条构成栅格,这相当于多个L/W＜1的长方形InSb薄片磁阻元件串联,既增加了零磁场电阻R0 ,又可以获得较高的磁阻效应。 磁阻特性曲线 二、磁敏电阻的基本特性 1．磁阻灵敏度 通常把磁敏电阻的比值RB/R0称为磁敏电阻的灵敏度，其中R0为无磁场时磁阻元件的阻值，RB是磁感应强度为B 时磁阻元件的阻值。 2．磁阻特性 由特性曲线可知，磁阻元件对正、负磁场的作用具备相同的灵敏度 无偏置磁场 检测磁场不能判别磁性 外加偏置磁场时 相当在检测磁场外加了偏置磁场 工作点移到线性区 磁极性也作为电阻值变化表现 3．磁阻温度系数 磁阻温度系数是指温度每变化1℃，磁敏电阻的相对变化量。磁阻元件一般都是用半导体InSb制作，其磁阻受温度影响较大。 两磁阻元件串联 为了改善磁阻温度特性，方法之一：掺杂，将导致磁阻灵敏度下降 方法之二：采用组成差动式输出，这种方法不但具有温度补偿功能，且使灵敏度得到提高 三、磁敏电阻的应用 利用磁敏电阻的磁阻特性，可以应用于无触点电位差计、直线位移传感器、转速计、非接触电流监视电路等方面。 磁敏电阻测直线位移 初态时 磁铁置于磁敏电阻中间位置 此时输出电压为UO 位移时，磁铁沿平面方向X 直线左右平移， 此时输出电压UO的变化量 ΔUO与直线位移量成正比 可以检测微位移 或与微位移有关的其它非电量 第三节 磁敏二极管 磁敏二极管和磁敏三极管 具有很高的磁灵敏度（比霍尔元件高数百至数千倍） 可以在较弱磁场下工作 一、磁敏二极管 1．基本结构 磁敏二极管是一种PIN型磁敏元件，由硅或锗材料制成 i 区为本征或接近本征半导体，亦称本征区 本征区的两端用合金法制成高掺杂的P+区和N－区 在本征区的一侧采用制成载流子复合速度很高的r区，亦称高复合区； 在高复合区相对的另一侧L保持光滑的无复合表面，光滑面 （a）基本结构 （b）电路符号 磁敏二极管结构和电路符号 2．工作原理 磁敏二极管是利用磁阻效应进行磁电转换的。磁敏二极管工作时需加正向偏压，即P+区接正、N－区接负；此时磁敏二极管电阻大小决定于磁场的大小和方向。当磁敏二极管反向偏置时，将呈现高阻状态，与磁场的作用无关。 正向磁场 无磁场 反向磁场 磁敏二极管伏安特性 3．主要特性 （1）伏安特性 在给定的磁场下，磁敏二极管正向偏压与偏流的关系被称为磁敏二极管的伏安特性。在正向偏压一定时，正向磁场越大、磁阻越大、偏流越小；反向磁扬越大、磁阻越小、偏流越大。在一定的偏压范围内，伏安特性有近似的线性关系。 （2）磁电特性 磁电特