薄膜技术中文版10薄膜形核、生长及结构.pdfVIP

薄膜技术-10 薄膜形核、生长及结构 主要内容 薄膜的形核 薄膜的生长 非晶薄膜 外延薄膜 薄膜的形核 自发形核理论 非自发形核理论 薄膜与衬底之间润 湿性较差情况 自发形核:整个形核过程完全是在相变自由 能的推动下进行 自发形核理论 单位体积固相在凝结过程中的相变自由能之差 kT P kT J kT G ln v ln v  ln(1S ) V  P  J  P 凝结相的平衡气压; P 气相的实际压力; Jv 凝结相的蒸发通量;J 气相的沉积通量 v Ω单位摩尔原子体积 气相饱和度S (p p v ) / p v S=0 ΔG=0 无新相核心形成 S0 气相过饱和，ΔG 0, 形核 V 过饱和度是成核驱动力 新的固-气相界面的形成，表面能增加 2 4r  表面能增加是形核阻力 自发形核理论 系统自由能变化为 4 3 2 G r GV 4r  3 * 2 临界形核半径 r  G V 自由能变化取极值 * 形成临界核时系 G* 16 统的自由能变化 3G2 V kT 考虑到 GV  ln(1S )  提高饱和度，降低临界形核半径，形核能垒 薄膜的形核 自发形核理论 非自发形核理论 非自发形核理论 系统自由能变化为 3 2 2 2 G a r G a r  a r  a r  1 V 2 sv 2 fs 3 vf