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东 莞 理 工 学 院 学 报 第l5卷第3期 JoURNAI．oF DoNGGUAN UNIVERSITy oF TECHNoLoGY VO1．15 No．3 2008年 6月 Jun．2008 超晶格量子阱研究的回顾与展望 李思琳 罗诗裕 (东莞理工学院 电子系，广东东莞 523808) 摘要：半导体超晶格物理是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿领域之一．它的确立、研究与发展， 不仅对现代电子信息科技，而且对小尺寸效应、新型材料科学和纳米技术等的发展都产生了革命性的影 响．对半导体超晶格物理的历史、现状以及未来走向做一简单的回顾与展望，对于把握凝聚态物理，特别 是半导体物理在2 1世纪的发展趋势具有重要意义． 关键词：量子阱：超晶格；半导体；凝聚态 中图分类号i O471 文献标识码i A 文章编号：1009一O312(2008)03—0011—05 O 引言 半导体物理是凝聚态物理领域中的一个活跃分支，也是半导体科学技术发展的重要基础。半个 多世纪以来，半导体物理不仅在晶态半导体、非晶态半导体、半导体表面、半导体超晶格、纳米半 导体和有机半导体等领域取得了令世人瞩目的重大进展，而且它还是一系列新材料、新结构、新效 应、新器件和新工艺的源泉，极大地丰富了凝聚态物理的研究内容，有力地促进了半导体科学技术 的发展‘ ’。如果说上世纪5060年代是以能带理论、晶格动力学理论、金属一半导体接触理论、 P．n结理论和隧道效应等理论为主线，那么，7080年代则是半导体超晶格物理、半导体表面物理 和非晶态半导体物理三足鼎立的发展格局。9O年代以后，随着多孔硅、C 。以及碳纳米管、纳米团 簇、量子线与量子点微结构的兴起，纳米半导体物理的研究开始崭露头角，且日益深化。进入21世 纪的今天，以GaN为主的所谓第三代半导体、有机聚合物半导体、光子晶体、声子晶体以及自旋电 子学的研究，又把半导体物理研究带入了一个新的发展时期。 从上世纪7O年代开始，半导体超晶格和量子阱就一直是半导体物理学最重要的发展方向之一，至 今也是半导体物理学最活跃的前沿领域之一。对半导体超晶格物理的历史、现状以及未来走向做一简 单的回顾与展望，对于把握凝聚态物理，特别是半导体物理在21世纪的发展趋势具有重要意义。 1 历史回顾与发展现状 1969年，物理学家江崎和朱兆祥等人首次提出了“半导体超晶格”概念，由此揭开了低维半导 体结构与介观物理研究的序幕。可以说，半导体超晶格与量子阱的研究，不仅在半导体物理领域中 留下了浓墨重彩的一笔，也在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页。不久，分子束外延 技术就在美国贝尔实验室和IBM公司研发成功了。新思想和新技术的巧妙结合，首次研制成功了组 分型A1 G aI． As／GaAs超晶格，标志着半导体材料的发展开进入了人工设计的新时代。随着高质量半 导体薄膜生长技术的发展，人们对薄膜单晶生长过程的控制已经可以精确到一个原子层，超晶格材 料的组分和层厚均可以人为控制，得到了而且还将继续得到与体材料不同的光电特征。正如江崎指 出的那样，人们可以“自己来实践量子力学，可自行设计材料的能隙和能带结构，并按照自己的意 愿根据特殊用途来剪裁材料的输运性质和光学性质”。半导体超晶格不仅为半导体科学和技术开拓 收稿日期：2008—03—24 作者简介：李思琳(1984一)。女。广东东莞人。2008届电子工程系本科毕业生． l2 东 莞 理 工 学 院 学 报 2008年 了新领域，而且还有力地推进了新一代高新技术的发展。1972年，江崎等人也利用分子束外延技术 研制成功TA1 G aI． As／GaAs组分型超晶格”’，并用它做实验观测到了这种结构所具有的负阻特性。 1974年，人们又用A1 G As／GaAs双势垒结构，研究了垂直界面方向的电导性，并明显地观测到了 低温下的共振隧穿现象。1978年，美国贝尔实验室的Dingle等人首次在组分超晶格 AlxGal—xAs／GaAs中发现了电子迁移率增