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第29卷 第2期 半 导 体 学 报 Vo1．29 No．2
2008年2月 J0URNAL OF SEMICONDUCTORS Feb．，2008
A Compensation Mechanism for Semi--Insulating 6H--SiC
Doped with Vanadium
Wang Chao ，Zhang Yimen，Zhang Yuming，Wang Yuehu，and Xu Daqing
(Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices，
Microelectronics Institute，Xidian University，Xi’an 710071，China)
Abstract：A model is presented to describe a compensation mechanism for semi．insulating 6H．SiC grown with the inten．
tional doping of vanadium．Because we found nitrogen to be the principal shallow donor impurity in SiC by secondary ion
mass spectroscopy(SIMS)measurements，semi-insulating properties in SiC are achieved by compensating the nitrogen do·
nor with the vanadium deep acceptor leve1．The presence of different vanadium charge states V3 and V4 is detected by
electron paramagnetic resonance and optical absorption measurements，which coincides with the results obtained by SIMS
measurements．Both optical absorption and low temperature photoluminescence measurements reveal that the vanadium
acceptor level is located at 0．62eV below the conduction band in 6H．SiC．
Key words：6H-SiC；semi-insulating；vanadium doping；compensation；vanadium acceptor level
PACC：6170W ；7155
CLC number：TN304．2 Document code：A Article ID：0253．4177(2OO8)02．0206．04
Since vanadium can act as donor or acceptor in
1 Introduction SiC，the compensation mechanism is determined by
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