负载电容矩形微带天线Capacitor-LoadedRectangularMicrostrip.DOC

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负载电容矩形微带天线Capacitor-LoadedRectangularMicrostrip

4-4負載電容矩形微帶天線 (Capacitor-Loaded Rectangular Microstrip antennas) 傳統式的降頻方法有加入短路棒、晶片電阻及槽孔的降頻方法,這幾種都可以藉著降頻的特性,達到天線縮小化的目的。 在輻射體上挖槽孔來達到降頻效果的方法,所應用的原理是改變訊號到達微帶天線邊緣的距離,所以激發的共振頻率隨著溝槽的長度及數目成反比,溝槽長度愈長及溝槽的數目愈多,則電流行經路徑愈長,使得共振頻率跟著下降。 利用鑽孔連接接地面與微帶金屬面來達到短路的效果,由於短路的原因,使得在接近短路棒的位置時,微帶金屬面上的表面電流密度增加,與未加短路棒時的均勻分布不同且不對稱,若由微帶天線的邊界條件來看,短路棒提供了一個新的邊界條件,使得原本半波長共振的微帶天線,變成四分之一波長共振,也因此而得到比原來微帶天線更低的共振頻率,藉此來達到縮小化的設計 此研究目標是將中心頻率設計在433MHz,反射量要求為-20dB以下。 首先,我們先以加入短路棒的方式來設計此天線,使得使原來頻率的體積縮小至原來體積約1/2倍的大小,但頻率還是沒有達到理想的範圍,所以,再以挖槽孔的方式來加以設計,使頻率下降,以達到理想的頻率,也使得原本已縮小的體積,縮至更小,以達到縮小化的目的。 繼本期專題整流天線(rectenna)的基礎,我們參與此次國科會計劃案;採用雙頻圓極化整流天線,其操作頻率於2.45GHz以及5.8GHz;頻圓極化天線. 由於5.8GHz的部份,無法使用我們專題中的量測儀器來量測,故現階段我們採用軟體模擬的方式來進行研究。首先我們採用RO4232的金屬基板來進行模擬,因為RO4232具有低損耗的特質,其基板之參數如圖5-2所示。在天線部分,如圖5-3(a)所示,結合了能夠操作2.45GHz(低頻)以及5.8GHz(高頻) 這兩個ISM頻段的兩個環形槽孔天線,其我們設計的尺寸圖5-3(b)所示。 其高頻天線的內圓半徑以及外圓半徑,我們分別假設為及;而低頻天線的內圓半徑與外圓半徑,我們分別假設為以及。而在低頻天線短路結構(角度,提供連續接地來饋入高頻天線;高頻天線短路結構(角度),提供連續接地來饋入低頻天線。饋入高頻天線由傳輸線以及的傳輸線與所構成,其傳輸線是使用符合天線的阻抗匹配所設計的。相對的,饋入低頻天線由傳輸線以及的傳輸線所組成。 其內圓半徑以及外圓半徑(與),最初是依據下列兩個公式所設計出來的,並依其操作頻率來計算出槽孔半徑。 其計算出來的值必須與槽孔的波長相等。 在公式5.2,是free-space相對於操作頻率的波長,是基板的介電常數,是槽孔的寬度,是基板的厚度。而天線就是利用公式5.1已及公式5.2所設計出來的。圖5-4為我們利用HFSS所模擬出來的結果。 其模擬結果已經相當符合我們所訂定之條件,而後在與廠商詢問RO4232的相關資訊時,發現此塊板子使用的人相當少,而且大部分皆是使用在大型的尺寸上,所以板子相當的大且價格不斐;所以我們決定更換模擬的基板,最後我們選擇了專題使用的FR4板,圖5-5為FR4基板之相關參數。 我們使用原來RO4232的尺寸參數,但是將基板參數使用FR4時,發現模擬出來的結果,在低頻部份相當不錯,但是高頻部份就相當不理想,如圖5-6所示。 後來我們利用公式5.1以及公式5.2,將FR4的基板參數以及所需操作的頻率代入計算,求得新的參數值,如圖5-7(b);經過多次微調之後,在高頻部份比較好的成果出現。如圖5-8所示。 由於使用FR4基板所模擬出來的成果都不及使用RO4232來的好,在經多次微調過程中,發現天線中的環形槽孔結構並非像我們專題中使用的原理;於是我們先將天線結構簡單化,把圓型槽孔天線結構依照其尺寸換算成為直線來尋找其中的規則。首先我們將低頻天線的槽孔結構慢慢向饋入的微帶線增加,結構示意圖如圖5-9(a)所示;我們設定參數rr,每次增加5mm向微帶線接近,其模擬出來的趨勢圖如圖5-9(b)所示。 如圖5-9(b)中紅色圓圈所示,當我們慢慢將槽孔結構往微帶線加大時,可以發現降頻的效果。 圖5-1 雙頻圓形及化整流天線結構示意圖 (d) (c) 圖5-2 RO4232基板參數 (a) (b) 圖5-3 (a)環形槽孔天線結構(b)模擬設計參數 (5.1) (5.2) S22 5.47GHz -24.22dB S11 2.56GHz -32.50dB (b) (a) 圖5-4 雙頻圓形極化天線(a)模擬結構圖 (b)模擬結果 圖5-5 FR4基板參數 S22 5.24GHz -14.44dB S22 3.27GHz -24.04dB S11 2.21GHz -34.35dB 圖5-6

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