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* PECVD生产培训 PECVD——Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 等离子增强化学气相沉积。 PECVD目的：光滑的硅表面在折射率为1.0的空气中，对光的反射率可达到30%左右。使用表面的织构化——制绒——降低了一部分反射，但是还是很难将反射率降得很低 。 考虑在硅表面与空气之间插一层折射率适中的透光介质膜，以降低表面的反射。SiNx膜被选择作为硅表面的减反射膜：（1） SiNx膜的折射率随着x值的不同，可以从1.9变到2.3左右，这样比较适合于在3.8的硅和1.0的空气中进行可见光的减反射设计，是一种较为优良的减反射膜；（2）结构致密，硬度大；（3）能抵御碱、金属离子的侵蚀；（4）介电强度高；（5）耐湿性好。 等离子的概念及其优势：等离子体-电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态。含有大量高能量的电子，可以生成活性高的化学基团。 CVD(化学气相沉积）通常需要较高温度，等离子体可以显著降低反应温度，降低生产成本。 一、PECVD的认识 按镀膜方式分类：直接法（ Centrotherm），间接法（RothRau） 直接法—管式炉：Centrotherm。硅片直接接触等离子体，直接作为电极的一部分。石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。 一、PECVD的认识 间接法—平板型：RothRau。待沉积的硅片在等离子区域之外，等离子体不直接打到硅片表 面，硅片也不是电极的一部分。使用微波作为激发等离子体的频段。微波源置于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷气， 产生SiNx分子沉积在样品表面。 一、PECVD的认识 管式（ Centrotherm） 优点:(1) 对表面直接轰击，可以去除表面的一些自然氧化层，使得表面的杂质原子得到抑制；(2) 可以使得氢原子或氢离子更深入地进入到多晶硅晶界中，使得晶界钝化更充分； (4)成膜均匀致密。 缺点:(1)对硅片表面有损伤，会增加表面少子的复合；(2)硅片表面特性影响辉光放电，电导率影响等离子场均匀性；(3)PECVD的气流是从石英管一端引入，这样也会造成工艺气体分布的不均匀。 板式（ RothRau） 优点：(1)频率高，沉积速率比直接的要高很多，产量大；(2) 表面损伤小； 缺点:(1)频率高，难以达到大面积均匀性；(2) 成膜疏松；(3) 石墨板容易翘曲，导致卡盘等设备故障。 一、PECVD的认识 二、相关操作- Centrotherm 1、石墨舟：用于管式PECVD，主要由石墨片及陶瓷棒构成，陶瓷棒起到绝缘作 用，石墨片用于导电形成相应的反应磁场；舟内有卡点，每片为三 个点，用于固定硅片。 2、上片：将手推车的前端对准上料区下方的开口区，平稳地推入；电极孔对着炉门；控制电脑上方的“unlock trolley” 按钮亮起，表明手推车已放置到位 。 二、相关操作- Centrotherm 3、运行工艺：在“Jobs”界面中自动弹出的对话框中依次输入材料批号、石墨舟编号，选择相应的工艺程序及炉管，检查输入信息是否有误，点击“cancel”键取消本次工艺运行操作，点击“ok”，对上述信息进行确认后，系统自动运行工艺，“unlock trolley”按钮熄灭后，再次亮起 。 输入工艺运行时间，Enter(确定)。工艺自动运行。 如有正常待机炉管，可继续上料：按住“unlock trolley”按钮3秒钟，解除手推车锁定，拉出手推车后，重复上述上料操作即可。 4、工艺结束：工艺自动运行完毕后，“unlock trolley”按钮闪烁并伴有急促蜂鸣声，按住“unlock trolley”按钮3秒钟，解除手推车锁定，拉出手推车，推至下片区 。 二、相关操作- Centrotherm 三、相关问题及注意事项- Cent