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拓扑绝缘体薄膜和有限尺寸效应分析 　　摘 要：作为当前量子材料当中最为新颖的一种，拓扑绝缘体的出现迅速受到凝聚态物理研究专家的青睐，其通过大量研究发现拓扑绝缘体的薄膜只有几纳米厚，但其自身独特的结构特征和物理性质使得拓扑绝缘体可以被有效应用在平面器件当中。因此本文将通过采用文献研究法，结合当前有关拓扑绝缘体薄膜的国内外大量相关研究理论成果，着重围绕拓扑绝缘体薄膜和有限尺寸效应进行简要分析研究。 　　关键词：拓扑绝缘体薄膜；有限尺寸效应；外延生长 　　中图分类号：O484.1 文献标识码：A 文章编号：1671-2064（2018）01-0214-02 　　目前在有关拓扑绝缘体薄膜的研究方面还对其拓扑性质存在一定争议，有部分研究人员主张拓扑绝缘体薄膜为三维绝缘体，但也有部分研究人员认为拓扑绝缘体薄膜为二维绝缘体甚至是普通绝缘体。因此本文将通过结合分子束外延技术，探究拓扑绝缘体薄膜及有限尺寸效应，希望能够为人们在该领域以及量子现象的研究方面提供必要的参考帮助。 　　1 拓扑与拓扑绝缘体的简单介绍 　　1.1 拓扑 　　从本质上来说，拓扑是一个数学概念，而拓扑性质指的就是对于细节缺乏敏感性的部分性质，譬如两种大小不一、材质不同的物质，因其表面都存在一个缺损口，因此在拓扑上处于等价状态，而物质表面上缺损口的具体数量就是一种对于细节缺乏敏感性的拓扑特征。考虑到能带结构直接影响材料自身性质，因此利用拓扑方式表示能带，则该材料同样也存在对细节缺乏敏感性的特征。 　　1.2 拓扑绝缘体 　　在量子霍尔效应下，二维电子系统会在磁场强度较大的情况下生成各种分立朗道能级，此时的二维电子系统基本上可以被看做是一种绝缘体。但该绝缘体自身的能带结构具有特殊的拓扑特征，因此使得量子霍尔电阻具有极强的稳定性，即便样品细节发生变化，量子霍尔电阻数值依然保持固定不变，此时其对于细节缺乏敏感性的性质也使得量子霍尔系统成为强磁场当中的拓扑绝缘体。在有关拓扑绝缘体最新的研究当中，人们已经发现在没有外加磁场的环境下强自旋轨道耦合的窄带半导体同样也可以被归属于拓扑绝缘体的范畴当中。由于在费米能级的位置处材料本身的体能带存在能隙，加之其本身特有的拓扑性质使得在其表面/界面态上会出现一种与石墨烯相似的能带结构，因此此种自旋极化的拓扑绝缘体具有良好的稳定性，不会轻易出现污染、氧化等问题。 　　2 拓扑绝缘体薄膜的相关分析 　　现阶段研究人员普遍认为拓扑绝缘体主要有普通、三维以及二维拓扑绝缘体这几种类型。其中二维拓扑绝缘体拥有普通拓扑边界态，而三维拓扑绝缘体则具有二维拓扑表面态。为了有效研究拓扑绝缘体薄膜以及有限尺寸效应，本文将选择三维拓扑绝缘体材料即Bi2Se3材料，同时使用分子束外延技术生成单晶薄膜，并利用专业的显微镜等设备仪器对逐层生长的薄膜进行观察分析，进而简要探究不同薄膜厚度下拓扑绝缘体的性质、能带等变化情况。 　　2.1 晶体结构 　　Bi2Se3材料带有明显的层状特性，其总共由五个原子层共同组合而成，其中Bi和Se单原子层分别有两个以及三个，彼此相互交替组成了一个完整的周期结构。而根据马静、雷玉玺（2016）[1]在研究Bi2Te3这一拓扑绝缘体薄膜的电子结构以及其第一性原理当中给出的相关数据可知，Bi2Te3周期结构的高度为0.95纳米，而每五个原子层则为一个大周期结构，在每一个五原子层当中，彼此之间都存在相互作用，且共价键相对较强。为了方便研究，本文在Bi2Se3薄膜衬底的选择方面选用了双层石墨烯终止的6H-SiC（0001），其良好的化学惰性能够有效避免和氧化性较强的Se相互反应，其原子级表面不仅面积相对较大且十分平整，有助于Bi2Se3薄膜的有效生长。下图1展示的就是拓扑绝缘体Bi2Se3的晶体结构示意： 　　2.2 条件控制 　　为了能够有效实现Bi2Te3拓扑绝缘体薄膜的生长，本文通过参照张涛、仇怀利（2016）等[2]学者的相关研究方法，通过对衬底温度进行控制，使其能够始终维持在Bi和Se源温度的区间内，并采用1：10的Bi及Se束流比。但在研究当中我们可以发现Se源具有极高的蒸发温度，而石墨烯表面则相对比较光滑，因此被蒸发出的Se原子及分子几乎无法在衬底表面实现单独吸附。而在衬底表面上如果吸附了Bi原子，Se在于其进行反应之下将会形成化合物，因此通过控制Bi束流即可对薄膜的生长速率进行有效控制。 　　2.3 外延生长 　　本文选择的Bi2Te3薄膜其拥有平整的大面积原子级表面，缺陷密度相对比较低，表面台阶有着一个五原子层周期结构的高度，但每一个周期结构之间的相互作用比较弱，因此使得结构表面的自由能也相对比较低，在整个Bi2Te3薄膜的表面上只能够对五原子层周期结构表面进行有效显示。而根据相关图谱显示确实在试验样品上