脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能影响.docVIP

脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能影响 　　摘要：针对先进纳米铜互连技术的要求，研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明，占空比较小时，镀层电阻率较大，晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级，占空比选择在40％～60％之间容易获得较小电阻率和较大晶粒尺寸的铜薄膜。 　　关键词：铜互连、脉冲电镀、电阻率、晶粒尺寸、表面粗糙度 　　中图分类号：TN305 　　 　　1、前 言 　　 　　随着芯片集成度的不断提高，铜已经逐渐取代铝成为超大规模集成电路主流互连技术。在目前的芯片制造中，互连线几乎全部是采用直流电镀的方法获得铜薄膜。直流电镀只有电流/电压一个可变参数，脉冲电镀则有电流/电压、脉宽、脉间三个主要可变参数，而且还可以改变脉冲信号的波形。因此，脉冲电镀对电镀过程有更强的控制能力。 　　关于脉冲电镀的理论在上个世纪初就有人提出。近几年来，国外陆续报道了一些关于脉冲电镀在集成电路铜互连中的研究应用[1-5]。但目前在国内，针对脉冲电镀铜的研究主要集中在冶金级电镀和印刷电路板（PCB）方面，几乎没有关于脉冲电镀应用于集成电路铜互连的文献报道[6-8]。PCB中线路的特征尺寸约为几十微米，而芯片中铜互连的特征尺寸是1微米，因此对亚微米级厚度铜镀层的性能研究显得尤为必要。 　　脉冲电镀铜所依据的电化学原理是利用脉冲张驰增加阴极的活化极化，降低阴极的浓差极化，从而改善镀层的物理化学性能。在直流电镀中，由于金属离子趋近阴极不断被沉积，因而不可避免地造成浓差极化。而脉冲电镀在电流导通时，接近阴极的金属离子被充分地沉积；当电流关断时，阴极周围的放电离子又重新恢复到初始浓度。这样阴极表面扩散层内的金属离子浓度就得到了及时补充，扩散层周期间隙式形成，从而减薄了扩散层的实际厚度。如果使用短脉冲，则将出现非常大的电流强度，这将使金属离子处在直流电镀实现不了的极高过电位下沉积，极化程度加大，分散能力更好，从而改善镀层性能，其作用和在电镀液中加入添加剂的作用相似。关断时间的存在不仅对阴极附近浓度恢复有好处，而且还会产生一些对沉积层有利的重结晶、吸脱附等现象。 　　脉冲电镀的主要优点有：降低浓差极化，提高了阴极电流密度和电镀效率；减少氢脆和镀层孔隙，提高纯度，改善镀层物理性能；所得镀层具有较好的防护性；能获得致密的低电阻率金属沉积层。 　　脉冲电镀中不同电流密度对铜镀层的影响和直流情况大致类似，电流密度越大，过电位就越大。实验结果表明[9]，2～4 A/dm2 （1dm=100mm）电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。 　　本文将主要研究脉冲时间（Ton）和关断时间（Toff）对脉冲铜镀层性能的影响。脉冲时间和关断时间也可以等效为另外两个参数：周期和占空比，但在电镀过程中起实质作用的还是脉冲时间和关断时间。 　　 　　2、实验 　　 　　采用直径8英寸（1英寸=25.4mm）P型（1 0 0）硅片，首先在硅片上用PECVD（Concept One 200mm Dielectric System，Novellus）淀积800nm SiO2介质层。接着用PVD（Invoa 200，Novellus）溅射25nm的TaN/Ta扩散阻挡层，然后用PVD溅射50nm的Cu籽晶层。 　　在电解槽中，阳极为高纯度的铜棒，外面包裹一层过滤膜，其作用是电镀时阻止杂质进入铜镀层影响性能。将经PVD溅射好籽晶铜的硅圆片切成小矩形作为阴极（5cm×2cm）。电解槽底部靠近阴极处有一个磁力搅拌子，电镀时，置于电解槽下面的磁力搅拌仪产生磁场，驱动搅拌子匀速转动，转速设定为400 转/分，这可以使电镀过程中阴极附近电解液中的铜离子浓度保持正常，降低浓差极化和提高阴极电流密度，加快沉积速度。 　　电镀液成份为：Cu2+17.5 g/L， H2SO4 175 g/L，Cl- 50 mg/L，加速剂2 ml/L，抑制剂8 ml/L和平整剂1.5 ml/L（添加剂均来自美国Enthone公司）。Cl离子能提高镀层光亮度和平整性，降低镀层的内应力，增强抑制剂的吸附。加速剂通常是含硫或其它官能团的有机物，包括硫脲及其衍生物，它的作用是促进铜的成核，使各晶面生长速度趋于均匀。抑制剂包括聚乙二醇（PEG）、聚丙烯二醇和聚乙二醇的共聚物等，它的作用是和Cl离子一起在阴极表面上形成一层连续膜以阻止铜的沉积。平整剂通常是杂环化合物，一般含有氮原子，它的作用是降低镀层表面粗糙度。 　　实验中采取固定峰值电流和一个时间参数，而改变另外一个时间参数的方法，这样做的好处在于可排除其它因素的干扰，单独考察一个时间变量对镀层性能的影响。如果固定平均电流密度，那么对于不同的脉宽，脉冲幅度将不一样，过电位也就