钛金属对掺镁铌酸锂晶体表面刻蚀效果研究.docVIP

钛金属对掺镁铌酸锂晶体表面刻蚀效果研究 　　[摘要] 以掺镁铌酸锂（Mg:LiNbO3）晶体为基础，通过由Mg:LiNbO3、钛膜、Mg:LiNbO3组成的夹层结构（sandwich structure）在1050至1100 ℃的温度下，并且通湿氧的环境中进行退火，证明了Mg:LiNbO3晶体的表面刻蚀，并验证了刻蚀深度会受到初始钛膜厚度、退火温度和退火时间的作用。结果显示，最大刻蚀深度可以达到260 nm，且刻蚀表面的粗糙度小于5 nm。经过对于刻蚀参数的优化，可以获得更深的刻蚀深度。这为通信领域的相关器件制作提供了新的制作方法。 　　[关键词] 掺镁铌酸锂晶体钛扩散刻蚀 　　 　　1. 引言 　　 　　由于铌酸锂晶体（LiNbO3）晶体具有优秀的电光、声光和非线性光学性质，所以该晶体在光子应用领域得到了广泛的研究。而以LiNbO3晶体为基底的光学器件，如Bragg光栅、长周期光栅、相关功能调制器、光学滤波器等，具有明显的低损耗、抗干扰等优势，能够广泛应用于通信领域。 　　在选用LiNbO3晶体为制作器件的主要材料时，主要困难是如何设计器件，使它能够制作适合的结构。因为表面精密加工可以大大拓宽它的应用范围，这使得用表面刻蚀制造微结构的方法得到广泛认同。近些年来，有许多不同的方法进行了表面刻蚀的尝试，如湿法化学刻蚀（WCE）[1]、感应耦合型等离子体蚀刻（ICP）[2]、反应离子刻蚀（RIE）[3]，以及聚焦离子束刻蚀（FIB）[4]。但是每一种方法都有很多的问题，而且不能够给出完全令人满意的结果。 　　本文中，我们证明了体掺有5 mol% MgO的LiNbO3在Ti金属膜辅助下的表面刻蚀。该刻蚀通过在湿氧气氛下，对光学接触的Mg:LiNbO3/Ti膜/Mg:LiNbO3夹层结构在1050℃-1100℃下退火来实现。相似的方法已经在纯的LiNbO3晶体上实现了刻蚀[5]。而本文中，选取掺有MgO的晶体是由于它比纯的LiNbO3有更好的非线性（集成）光学应用前景。掺有5 mol% MgO不只很大程度上降低了铁电畴反转所需的矫顽场[6]，而且有效地抑制了光学损伤[7]。 　　 　　2. 实验 　　 　　使用Del Mar Photonics公司的体掺5 mol% MgO的同成分Z切LiNbO3为初始样品。样品厚0.5 mm，并且具有光学级表面。通过使用标准的光刻、Ti溅射和剥离过程，在一部分样品的局部表面镀上Ti金属膜，Ti膜的厚度范围为74-700 nm。其余的样品不进行Ti的沉积，用来进行刻蚀。每一片表面有一定厚度Ti膜的样品与未镀膜样品形成Mg:LiNbO3/Ti膜/Mg:LiNbO3夹层结构。Ti膜和它的表面样品为光学接触。图1给出了实现表面刻蚀的夹层结构示意图。将该夹层结构在湿氧环境下进行退火，湿氧气体经历60 ℃的水浴，通气速度为1.5 L/min。在退火过程中，夹层结构没有重量的增加，退火温度为1050 ℃或1100 ℃，退火时间为10 h或20 h。在退火后，用镊子就可以很容易地将夹层结构分开。样品的刻蚀深度和刻蚀表面的粗糙度用Dektak 6M台阶仪和原子力显微镜（Thermomicroscope Autoprobe CP Research）进行表征。 　　 　　 　　图1 Ti膜对MgO:LiNbO3的表面刻蚀示意图 　　 　　3. 结果和讨论 　　 　　在约1100 ℃下几个小时的湿氧环境下退火就会引起图1中上部样品的表面刻蚀。这种退火过程与用来制作Ti扩散的掺MgO的 LiNbO3条形光波导的过程相似[8]，会对下部的样品产生影响。在图1b中，指出了下部样品近表面的Ti扩散区。但是对于上方的样品，Ti没有扩散进其表面。相反地，由于对于上部样品的刻蚀，上部样品与Ti膜光学接触部分的物质进入到了Ti膜中。 　　 　　 　　图2 刻蚀表面的AFM图像，其中 　　（a）是上部样品的刻蚀区域，（b）是下部样品的Ti沉积区 　　图2显示了上部样品的被刻蚀表面和下部样品Ti沉积表面的AFM图像。实验中Ti金属厚度为110 nm，退火条件为1050℃/10h。其中图2a显示的是上部样品表面发生了刻蚀，刻蚀深度约为42 nm。图2b中较高的部分代表的是Ti的沉积区域，约为160 nm高，并显示出较粗糙的表面。表面粗糙度的均方根值约为30 nm。从实际应用的角度，我们对上部样品的刻蚀表面的质量更感兴趣。结果显示，该表面的均方根粗糙度值只有1.3 nm。 　　进一步地，我们研究了刻蚀深度与初始Ti膜厚度、退火温度和时间等刻蚀参数的关系。图3给出了不同退火温度和时间下，刻蚀深度和初始Ti膜厚度的关系。在退火条件为1050℃/10h时，刻蚀深度与初始Ti膜厚度近似为线性关系。在相同