功率MOSFET的应用问题分析之提高篇.docVIP

功率MOSFET的应用问题分析之提高篇 　　在作者工作过程中，曾碰到客户咨询许多有关功率M0sF ET的问题，有些问题涉及到功率MOSFET的数据表中的各种参数，有些和功率MOSFET的具体的应用特性相关，本文中作者就将这些典型的问题汇总整理，希望对广大的电子工程师有所帮助。 　　问题1：VGS大千VGS（th），MOSFET导通，MOSFET刚进入米勒平台，是否就算达到了饱和？如果是这样，此时停止向G极供电，假定忽略栅极氧化层的漏电，这时VDS会一直维持比较高压降吗？感觉有点不可思议，因为其饱和以后，Rdson已经降了下来。如果说没有饱和，也感觉说不过去，Rdson和VGS有关，达到10V以后，Rdson已经很小了，压降也应该降下来。如果说压降自动会降下来，那不是说米勒平台后期的充电没有什么作用？ 　　答复：VGS大干VGS（th）时，MOSFET开始导通，其刚进入米勒平台，MOSFET都工作在放大区，而且器件没有完全导通，因为，此时MOSFET导通电阻非常大，D极的电压由整个MOSFET承受，因此电流较小，电流乘上电阻等于VDS值，也就是D、S极所加的电源电压值。 　　事实上，MOSFET32作在线性区时，和线性电压调节器LD0（例如LM7805）的工作原理相同，如：当输入电压为10V，输出5V，压降就是5V；输入电压12V，输出还是5V，压降是7V，MOSFET相当于调节管，输入电压和输出电压的差值，都由MOSFET来承担。到了米勒平台区，电流为系统的最大电流，电流不能再增加，那么，VDS的电压开始下降，即使是VDS的电压下降一点点，所产生的电压变化率也非常大，因此，驱动回路的电流，将全部被米勒电容Crss所抽取，此时，就看到了所谓的“米勒平台”，VDS的电压在一定的时间内，维持一个稳定的值，直到VDS完全下降到最小值，VDS的电压变化率为0时，才结束米勒平台区。 　　问题2：请教一个A03401A的问题：现在使用A 03401A的导通电阻Rdson作为隔离电阻，用来缓冲热插入移动硬盘的瞬间冲击电流，防止瞬间把主机芯电压拉低，电路如图1所示，5V_USB是插移动硬盘的地方，+5VNormal来自主机芯电压。将VGS设计在固定的-1.6V左右，此时的Rdson大约在100mΩ左右，插上移动硬盘瞬间的冲击电流由原来的9A下降到了5A左右，冲击电流持续时间80μs左右，效果很明显，移动硬盘正常工作时电流约300mA。如果将VGS设计在-2.5V左右，Rdson只有几十mΩ，对冲击电流的抑制作用不大。这个电路的设计原则是什么？ 　　AO3401的VGS（th）规格书中标明可以到-1.3V，设置VGS=-1.6V，电压绝对值大于-1.3V，是否该MOS正常导通，应该没有问题吧？现在损耗并不是考虑的问题，0.03V的Rdson的压降对系统没有任何影响。原来使用一个0.1Ω的氧化膜电阻来做隔离的，但是该电阻体积太大，用这个电路的目的就是想替换这个电阻。由于这个电路中，MOSFET是在电视机开机后一直导通的，在MOSFET一直导通的状态下插入移动硬盘，而不是插入移动硬盘后再打开MOS，所以觉得调节R45/R46/C 18的值不能起到降低冲击电流的作用。希望利用MOSFET的恒流区特性来降低冲击电流，如果把VGS调整到2.5V以上，对冲击电流的限制作用就非常小了，只能从9A降到8A左右，这样的做法对M0s来说会有问题吗？ 　　在AO3401规格书的第1页写有 　　问题4：功率MOSFET的数据表中dv/dt为什么有两种不同的额定值？如何理解体二极管反向恢复时的dv/dt？ 　　答复：在反激电源中，原边主开关管关断过程中，Vns的波形从0开始增大，因此产生一定的斜率dv/dt，同时产生电压尖峰，就是寄生回路的电感和MOSFET的寄生电容振荡形成的。这个dv/dt会通常通过米勒电容耦合到栅极，在栅极上产生电压，如果栅极电压大于阈值电压，MOSFET会误导通，产生损坏，因此，要限制MOSFET关断过程中的dv/dt，另一种情况，就是在LLC，半桥和全桥电路，以及同步BU CK的下管，当下管关断后，下管的寄生二极管先导通续流，然后对应的上桥臂的上管开通，二极管在反向恢复过程中，也会产生dv/dt的问题。通常，二极管反向恢复的dv/dt额定值，远小于MOSFET本身的dv/dt额定值。 　　通常，在二极管在反向恢复过程中，如果存储的电荷没有完全清除，二极管也就是下管，是不能承受压降的，下管相当于短路，那么，在上管开通的过程，电源的电压就只能加在回路的杂散电感上：下管短路，输入电流要急剧增加，回路的杂散电感将限制电流增加，因此，电源的电压就只能加在回路的杂散电感上，这个过程持续时间越长，短路电流冲击越大，MOSFET就可能在二极