超低压抗辐射SRAM设计-集成电路工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Classified Index: TN432 U.D.C: 621.3 Dissertation for the Master’s Degree in Engineering DESIGN OF ULTRA-LOW-POWER RADIATION HARDENED SRAM Candidate： Chang Fengwei Supervisor： Prof. Xiao Liyi Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Integrated Circuit Engineering Affiliation： School of Astronautics Date of Defence： June, 2014 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工程硕士学位论文 哈尔滨工业大学工程硕士学位论文 摘 要 在众多存储器中，由于静态随机存储器（Static Random Access Memory, SRAM）具有可靠性好、速度快、功耗小的特性，使其在存储器中占有举足轻 重的地位。同时 SRAM 还可以与标准的 CMOS 工艺兼容，而其他的存储器则 需要特殊的制造工艺。由于 SRAM 在微处理器和片上系统中占据了很大面积， 同时在辐射环境中很容易发生单粒子翻转效应（single event upset, SEU），因此， 必需考虑如何降低 SRAM 的功耗以及提高其可靠性。 降低电压是最有效的低功耗方法，因为它可以同时降低动态功耗和静态功 耗。本文设计的存储器工作电压降低到阈值电压以下，即亚阈值工作模式，从 而获得超低功耗的特点，亚阈值电路有很广的应用领域，甚至是航空电子领域。 为了提高 SRAM 抗单粒子 翻转的 能力 ， 本设计 采用双 互锁 存 储单元 （ Dual Interlocked storage Cell, DICE），该结构不仅可以抗单粒子翻转，同时可以提高 存储单元的静态噪声容限。 本文设计的 64×8 位的 SRAM 是基于 SIMC 180 nm CMOS 工艺。经过仿 真，该存储器可以在亚阈值条件下工作，同时可以抗单粒子翻转。存储单元在 150 mV 的低压下依然可以正常工作。最后对整个存储器的性能进行了仿真，结 果显示，本文设计的存储器可以在很低的电压下工作，并且有很低的功耗，当 电源电压为 300 mV 时，存储器的最大工作频率为 180 KHz，此时的功耗为 0.208μW，当电源电压为 500 mV 时，存储器的最大工作频率为 9.62 MHz，此 时的功耗为 13.98μW。本文设计的存储器即解决了单粒子翻转问题，又做到了 超低功耗设计。 关键词：静态随机存储器；单粒子翻转；亚阈值工作；双互锁存储单元 - I - Abstract While in the family of the semiconductor memory, the Static Random Access Memory (SRAM) is definitely the workhorse for on-chip data storage owing to its robust operation, high speed, and lo w power consumption relative to other options. Also SRAM is fully compatible with standard COMS process. As SRAM is accounting for the large share of area in microprocessor and SOC, and is vulnerable to single event upset (SEU) in the radiation environment , immediately needs a solution for reducing the power and improve the reliability of SRAM. Low voltage design is the most effective way to achieve low power consumption, because it can significantly reduce both dynamic power and static power. The design is an ultra-low-power SRAM with the suppl