掺杂ZnO磁性薄膜制备的研究-物理电子学专业论文.docxVIP

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取 得的研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他 人已经发表戚撰写过的研究成果，也不包含为获得 天津理工大学 或 其他教育机构的学位或证书而使用泣的材料。与找一同主作的同志对本研 究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 学位论文作者签名 It千字 签字日期 t 叫1 年二月/日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全?解 天津理主大学有关保留、使用学位论文 的规定。特授权天津理工大学 可以将学位论文的全部或部分内容编入 有关数据库进行检索，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编， 以供资阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复本和电子 文件。 (保密的学位论文在解密届选用本授权说明) 学位论文作者签名 z 抑 服名:同?叭 签字日期 : wll年 3 月 j 日 签字日期:叫年 3 月 f 日 摘要 。自旋电子学产生以来电子领域发生了很大的变化，它问时利用了电子的的电 荷属性和自旋属性，根据这两个属性设计并研制了许多新型的自旋电子学器件。 稀磁半导体(DMS)是自旋电子学器件的重要组成部分，近些年来一直成为了研究 的热点， DMS 是利用过渡金属掺杂到非磁性材料中取代黑面部分非磁性阳离子 陌生成的新型材料。目前越来越多的人开始关注 ZnO 基稀磁半导体，因为 Zn 。 有良好的咆学、磁学、光学特性，以及良好的气敏特性和压电特性。很多人在研 究中发现了室温铁磁性，但是磁性来源存在争议，有人认为是因簇和第二相造成 的，也有人认为是源于薄膜自身，本文分别利用溶胶凝胶法和磁控溅射法制备了 Fe 掺杂 ZnO 薄膜，通过改变磁控溅射中的各种工艺条件，研究不间的制备方法 及工艺条件对薄膜磁性的影响。利用扫描电子显微镜 (SEM)，X 射线衍射 (XRD)、 X 射线光电子能谱 (XPS)、光致激发谱(PL) 对薄膜进行表征，利用综合物理 性质测量系统 (PPMS) 测量薄膜的磁性。主要研究内容如下: 1.利用溶胶凝胶法制备了 Fe 掺杂浓度分别为 0、1%，3%，5%的 ZnO 样品薄 膜，所有样品都出现了多个 ZnO 衍射峰， XRD 检测没有发现团旗和杂质的 存在， XPS 检测 Fe 是以 Fe灿的形式掺杂到 ZnO 中， PPMS 测得当掺杂量为 1%时薄膜的磁性最大，我们还发现不同的磁场下薄膜的磁化饱和强度不同， 说明薄膜时硝各向异性的，这也进…步证明磁性是薄膜困有的。 2. 采用磁控溅射法制备薄膜时通过控制 Fe 靶的溅射功率来改变掺杂量，所有薄 膜都有良好的 c 轴取向生长，当 Fe 功率为 40W 时薄膜的磁性最大，此时饱 和磁化强度 Ms=0.49J.laIFeo 3. 分别在衬底温度为室湘、 250.C 、400.C 、500.C 时制备了样品，衬底温度为 400.C 时薄膜的晶粒大小均匀，结晶最好，并且该温度下薄膜有最大的磁化饱 和强度， Ms=O.64J.ls/Feo 4. 选取 Fe 溅射功率为 40W ，衬底温度为400.C 的样品薄膜，分别对其在真空和 氧气氛围下退火，并与未退火的薄膜做比较，发现真空中退火后薄膜的饱和 磁化强度有所增加，而氧气中退火后样品磁性却减小，这说明氧空位对薄膜 的磁性有一定的影响。 关键宇: Znl xFex_O 薄膜溶胶，凝胶磁控溅射铁磁性 Abstract Since the spintronics wωproduced it has brought in great changes occurred for the electronics filed. It uses the spin charact町 and charge character simultaneously， people have designed and developed many new electronic spintronics devices according to its two characters. Diluted ma伊etic semiconductor(DMS) is an important part of spintronics devices ，it has become the focus of study in the recent years. It uses transitive metal to doped in the no卧ma伊etic material ，and the transitive metal replaces partial catio