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超薄圆片划片工艺的探讨 　　摘要：集成电路小型化正在推动圆片向更薄的方向发展，超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术，显得越来越重要，它直接影响产品质量和寿命。本文从超薄片划片时常见的崩裂问题出发，分析了崩裂原因，简单介绍了目前超薄圆片切割普遍采用的STEP切割工艺。另外，针对崩裂原因，还从组成划片刀的3个要素入手分析了减少崩裂的选刀方法。 　　关键词：超薄圆片；崩片；背崩；正面崩片；崩裂；划片刀过载 　　 　　Study on the Technology of the Ultrathin Wafer Sawing 　　 　　JIANG jian, ZHANG Zheng-lin 　　（Wuxi China Resource Micro-Assembly Tech., Ltd, Wuxi 214028,China） 　　 　　Abstract: The trend of small outline IC is leading to thinner wafer development. The ultrathin wafer sawing technology, which is the key and basic technology to small outline IC, is becoming more and more important, as it directly affects the product quality and reliability. This article focuses on the usual problem of die chip and crack in ultrathin wafer sawing, analyses the defect causes, and briefly introduces the step sawing technology which is widely used in current ultrathin wafer sawing. Besides, it analyses the method of blade selection to reduce the die chip defect based on the 3 main factors of blade. 　　Key words: ultrathin wafer; die chip; backside chip; topside chip; die chip and crack; blade overloading 　　 　　1前言 　　 　　随着超大规模集成电路发展,集成电路封装小型化是封装技术发展的重要趋势。集成电路小型化也在推动圆片向更薄的方向发展，所以，超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术，显得越来越重要。目前，国内各种功能的IC卡就是这种技术的支持下发展起来的，例如，国内近几年涌现出的一大批智能卡公司，已从接触式卡发展到非接触式卡，大量需求150-175μm甚至150μm以下厚度的超薄圆片。随着圆片厚度越来越薄，由传统划片工艺造成的芯片崩裂对薄芯片的可靠性的影响显得越来越突出，如何减少薄圆片划片时的崩裂问题，是薄圆片加工时必须解决的课题。 　　 　　2划片崩裂原因及危害 　　 崩裂是指划片时崩片引起的芯片碎裂或隐裂。要了解崩裂原因，首先要了解崩片的成因。 　　 崩片是指划片后在划片槽边缘的不规则崩口，有正面崩片（图1）和背面崩片（图2）两种。 　　 　　 崩片是划片常见缺陷，究其原因，首先要从划片刀基本结构入手。划片刀是由金刚砂颗粒粘合而成，在刃口暴露的金刚砂使刀刃呈锯齿状，见图3。金刚砂的暴露量越大，划片刀就越锋利。在划片过程中，划片刀刃口的金刚砂颗粒会不断地被磨损、剥落和更新，以保证刃口锋利。如果金刚砂颗粒更新及时，切割效果就比较好，划槽边缘较光滑，见图4。 　　 　　 　　 如果被磨损的金刚砂颗粒没有及时更新，就会导致划片刀变钝、切割负载变大、切割温度过高，即所谓的划片刀过载。当发生划片刀过载时，会影响划片质量，产生正反面崩片。由于切割时圆片正面直接被水冲洗冷却效果较好，所以一般背面崩片较正面更严重。这里主要讨论背面崩片问题，即所谓背崩问题。 　　 　　 图5所示是划片示意图，当划片刀过载时，由于冷却水的表面张力作用，冷却水无法渗透到圆片背面，冷却效果不好，在圆片背面就会发生较严重的背崩现象。如果圆片较厚，背崩一般不会影响正面有效电路区见图6；如果圆片较薄，背崩就可能延伸到圆片正面，见图7。 　　 　　 从背崩形态上看，背崩主要有直线型背崩和锯齿型背崩两种，分别见图8、图2。