锆钛合金微弧氧化与激光表面改性研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

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锆钛合金微弧氧化与激光表面改性研究-材料科学与工程专业论文

Classified Index: TG146.4+1 U.D.C: 620 Dissertation for the Master Degree in Engineering STUDY ON MICROARC OXIDATION AND LASER SURFACE MODIFICATION OF ZR-TI ALLOY Candidate: Xu bo Supervisor: Prof. Dong Shangli Academic Degree Applied for: Master of Engineering Speciality: Material Science and Engineering Affiliation: School of Materials Science and Engineering Date of Defence: June, 2015 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘要 摘要 - -I- 摘 要 本文以工业工业纯锆(Zr702)和新型锆基合金(ZrTiAlV)为研究对象,利用 微弧氧化陶瓷涂层制备装置和激光加工处理成套装置开展了微弧氧化和激光表面 处理试验,采用金相显微镜、X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、显微硬度计、纳米 压痕仪、低温真空摩擦磨损试验机等分析测试手段对处理后 Zr702 和 ZrTiAlV 合 金的显微组织结构、力学性能及摩擦磨损性能进行了研究。 经过微弧氧化处理后,Zr702 和 ZrTiAlV 合金表面均获得了一层陶瓷氧化层, 平均厚度分别为 2?m 和 2.5?m,膜层由疏松层和致密层两部分组成;Zr702 表面得 到的陶瓷层主要由 M-ZrO2 和 T-ZrO2 构成,且以 M-ZrO2 居多;ZrTiAlV 合金表面 陶瓷层主要由 ZrTiO4 及少量 ZrO2 组成。硬度测试结果表明,微弧氧化处理使 Zr702 和 ZrTiAlV 合金表面纳米硬度显著提高,其原因在于表面生成了高强度陶瓷氧化 物。摩擦磨损试验结果表明,微弧氧化后,Zr702 和 ZrTiAlV 合金在室温大气和低 温真空环境条件下平均摩擦系数和磨损量均低于处理前,表现出较为优异的耐磨 特性。 经过激光表面淬火或激光表面熔凝处理后,ZrTiAlV 合金表面获得了具有一定 深度的改性层。激光表面淬火后,ZrTiAlV 合金截面可区分为热影响区和基体两部 分,热影响区由粗大片状β晶粒组成,这与快速冷却时高温β相来不及转变为α相而 被保留下来有关;激光表面熔凝后截面可分为重熔区、热影响区和基体三部分,重 熔区由粗大片状β晶粒组成,这与熔池冷却过程中β晶粒外延生长有关。硬度测试 结果表明,激光表面处理后,ZrTiAlV 合金改性区的显微硬度均明显低于处理前, 热影响区与基体过渡区显微硬度明显上升;激光表面处理后 ZrTiAlV 合金表面纳 米硬度均没有得到明显提高,原因在于改性区粗大的晶粒组织。摩擦磨损实验表明, 经激光表面处理后,ZrTiAlV 合金表面的平均摩擦系数和磨损量均未发生明显变化, 说明激光表面处理对锆基合金摩擦磨损性能的改性效果有限。 关键词:锆基合金;微弧氧化;激光表面处理;组织性能;摩擦磨损 Ab Abstract - -II- Abstract In this study, ceramic coating and laser surface treatment were conducted on the Zr702 and ZrTiAlV alloy, respectively, by using microarc oxidation processing equipment and laser processing equipment. Microstructure,mechanical properties and friction ??wear performance of the Zr702 and ZrTiAlV alloy after above surface modification have been studied by means of metallographic microscope, X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), microhardness tester, nano-indentation machine, cryogenic vacuum friction and wear facility. It is shown that after micr

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