srtio3在si表面生长初期的扫遂道显微术研究凝聚态物理专业论文.docxVIP

University University of Science and Technology of China A d i sse rtati o n fo r m aste r’S d eg ree Study of SrTi03 g rowth on Si(001)atinitiaI stage using 一 一 scanning tunneling m icroscopy Author’S Name： Yunfei Qiu speciality： Condensed Matter Physics Supervisor：Prof．Bing Finished time：time May,20Mav,20 1 中国科学技术大学学位论文授权使用声明作为申请学位的条件之一，学位论文著作权拥有者授权中国科学技术大学拥 中国科学技术大学学位论文授权使用声明 作为申请学位的条件之一，学位论文著作权拥有者授权中国科学技术大学拥 有学位论文的部分使用权，即：学校有权按有关规定向国家有关部门或机构送交 论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅，可以将学位论文编入《中国学 位论文全文数据库》等有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制 手段保存、汇编学位论文。本人提交的电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。 保密的学位论文在解密后也遵守此规定。 囱公开 口保密(——年) 作者签名：鲤盍翌 导师签名： 巫堡 签字日期： 迦垒2墨：!， 签字日期：兰!!：垒皇 献给我的父亲母亲 献给我的父亲母亲 摘要摘要 摘要 摘要 SrTi03(STO)材料具有很高的介电常数，有望取代传统的Si02成为下一代 门氧化物材料，因此硅基SrTi03薄膜生长受到广泛关注。SrTi03薄膜生长初期 阶段的研究对界面结构理解以及之后对生长界面的控制都起着至关重要的作用。 在本论文中，利用脉冲激光沉积术(PLD)在si(001)表面沉积SrO，经退火形成 sr原子钝化层，再生长lnm厚的SrTi03非晶薄膜；样品在700℃左右的高温下 退火。利用扫描隧道显微镜(STM)研究SrTi03薄膜在Si(001)表面的初期生长 情况。 第一章：介绍了硅基SrTi03薄膜的研究背景，并介绍了实验主要使用的技术 脉冲激光沉积术(PLD)和扫描隧道显微镜(STM)的工作原理。 第二章：介绍了Sr／Si界面的研究背景。在Si衬底上沉积了0．5nm厚的SrO． 然后对样品进行高温退火，通过控制退火温度，就可以得到Sr／Si(001)一(2x1)和 (2x3)重构表面。 第三章：对在Sr／Si界面上SrZi03薄膜生长初期阶段进行了研究。在Sr／Si(001) 表面沉积了lnm厚的SrTi03非晶薄膜，然后将样品进行退火处理。退火后样品 表面形成许多纳米岛。对纳米岛原子结构进行了高分辨的STM研究，并确定这 些纳米岛为C49。和C54．TiSi2。 实验表明在700。C的高温下Sr／Si界面上生长的SrTi03薄膜可能会形成TiSi2 纳米岛。在无氧气氛退火条件下，Sr／Si界面可能无法有效阻止SrTi03薄膜与si 衬底之间的硅化作用。 关键词：SrTi03(STO) 扫描隧道显微镜(STM) 脉冲激光沉积(PLD) C49-．TiSi2 C54·．TiSi2 AbstractABSTRACT Abstract ABSTRACT SrTi03(STO)thin films grown on silicon substrates have been studied for decades because of the high dielectric property of SrTi03 and its excellent insulating property as a candidate of gate materials replacing traditional Si02．However，the interface between the grown SrTi03 films and the Si substrate is important for such applications．It is crucial to understand the initial growth of SrTi03 thin film for a better understanding interface structure and further for well controlled interface．In this thesis，the initial growth of SrTi03 thin film on Si(00 1)has been studied using sca