金属硅化物熔体中不同形貌碳化硅晶体的生长研究-材料学专业论文.docxVIP

浙 浙 江 大 学 博 士 学 位 论 文 高C在熔体中的溶解度，同种条件下生长的SiC晶体颗粒尺寸变大，从而验证 了硅熔体中添加4f层电子数小的金属能提高c在熔体中的溶解度的说法。经实 验验证TiSi化合物熔体中当Si含量为77％原子比时最适合SiC晶体的生长。 在熔体中生长的SiC晶体，经XRD分析基本上都是具有闪锌矿结构的 3C．SiC(B．SiC)并伴有少量的6H．SiC，一般认为这是晶体中存在的层错或寄生 相等缺陷造成的。Raman分析确认各熔体中所生长的SiC晶体为3C-SiC，晶体 存在一定程度的层错等缺陷并且晶体中的载流子浓度很大(这里认为是晶体中含 有高浓度的金属元素掺杂)。根据所得SiC晶体的形貌和晶体生长理论，论文认 为在熔体中SiC晶体是按照多二维晶核生长方式生长的，并建立了SiC多二维晶 核生长模型。 在液相法SiC晶体生长的研究过程中，发现气氛中有微量氧存在时，熔体表 面有SiC纳米线生成。鉴于这一重要事实，论文第二部分展开利用简单气相反应 法制备SiC纳米线及带有非晶Si02包敷的SiC／Si02纳米电缆的研究。实验以金 属硅化物为原料，石墨板为碳源，在Fe-Si、Ni．Si化合物体系的熔点以上温度， 几乎都能在化合物颗粒的表层发现SiC纳米线。并且随着处理温度的升高和保温 时间的延长，所形成SiC纳米线的直径有增大的趋势。由于Ni·Si化合物跟石墨 的浸润性较差，在仅比化合物熔点高出小于200。C的温度区域内，Ni．Si化合物 熔体不能在石墨扳上熔敷而是形成合金熔球，最后在熔球表面上生长出SiC纳米 线形成形状独特的SiC纳米线绒球。在降温阶段，由于SiO和CO反应形成的 Si02在SiC纳米线表面沉积最终得到由si02包敷的SiC／Si02纳米电缆结构。 在金属硅化物液态膜表面形成的SiC纳米线，经Ⅺ①，SEM，TEM和Ram．811 分析表明：纳米线亦为具有闪锌矿结构的3C．SiC，纳米线的截面形貌有圆形和 六方形，形成的SiC纳米线为单晶结构，但部分具有层错等缺陷。根据纳米线端 部有合金球的典型形貌，论文提出了固．液．固(Solid-Liquid-Solid，SLS)形核和 气．液．固(Vapor-Liquid．Solid，VLS)生长的联合生长机理。首先石墨板上的碳 溶解于熔体中并与Si结合形成SiC晶核，即SLS形核阶段；由于SiC的密度小 于熔体的密度，SiC晶核上浮至熔体膜的表面，并将熔体推出，形成核上方的液 滴。炉内的含氧气氛(SiO、CO)被该液滴吸附，在Fe或Ni的催化作用下反应 形成SiC，并在先形成的晶核上沉积，实现SiC纳米线的生长，即VLS生长阶 Ⅱ 浙 浙 江 大 学 博 士 学 位 论 文 段。其中金属元素(Fe和Ni)有提高熔体的碳溶解度和催化的双重作用。 采用热蒸发法，以相互隔离的纯硅粉和碳黑粉为原料，在反应温度为1470 ℃保温1～9小时的实验中，得到了SiC纳米棒。随着反应时间的延长，硅蒸气 逐渐与碳黑颗粒充分反应形成SiC，其形状从最初的颗粒状，无序短棒状结构或 团聚块体，逐渐演变为长且直的纳米棒，甚至为六棱柱状结构。用XRD、IR、 SEM和TEM等对SiC纳米棒进行表征，并提出了SiC纳米棒的气．固 (Vapor-Solid，VS)生长机理，即硅蒸气与碳黑直接反应形成SiC纳米棒。 关键词：碳化硅单晶，碳化硅纳米线，熔体自发浸渗，液相生长，金属硅化物， 多二维晶核生长，固．液．固和气．液．固联合生长模式 Ill 浙 浙 江 大 学 博 士 学 位 论 文 ABSTRACT As a third generation wide b柚dgap semiconductor,silicon carbide(sic)has been developed accompanying the progress of elemental semiconductors,e．g．Si，of the first generation and compound semiconductors，e．g．GaAs，aP and InP,ofthe second generation．Due to the excellent physical and chemical properties，SiC bulk crystals and SiC mnomaterials have tremendous potential applicaljo璐in the fabrication of optic and electronic devices，especially those suitable for operation under harsh environment such a