利用CBD法进行氧化锌掺杂半导体纳米阵列的制备及特性研究-物理学专业论文.docxVIP

浙江工业大学硕士学位论文 浙江工业大学硕士学位论文 I万方数据 I 万方数据 利用 CBD 法进行氧化锌掺杂半导体纳米阵列的制备及特 性研究 摘 要 氧化锌的特性在很大程度上取决于微观尺寸和形貌，除了单一的 薄膜结构, 其他复杂的结构也已经被广泛研究。氧化锌材料中掺入不同 的元素能改变其光学、磁学、电学等特性。掺锡能制得三元半导体 Zn2SnO4 , 但是目前为止还没有关于掺锡氧化锌纳米阵列的报道。 在 CdTe 太阳能电池中，利用磁控溅射法制得的 Zn2SnO4 可以作为 缓冲层来提高太阳能电池窗口层的光学透过率和短路电流。我们希望 用水热法（CBD）合成 ZNAs:Sn 来代替现有的磁控溅射制备的 Zn2SnO4 薄膜，作为碲化镉太阳能电池中的缓冲层。通过适当的理论模拟来指 导实验，调整适合的阵列密度以及纳米棒直径来提高缓冲层的透过率， 提高太阳能电池的外量子效率。另外探索 Sn 的最佳掺杂，同时生成纳 米阵列,使缓冲层的能隙蓝移，让更多的光子进入 PN 结中。 本论文利用水热法在旋涂法制成的种子层基底上生长氧化锌纳米 阵列（ZNAs）和掺锡氧化锌纳米阵列（ZNAs:Sn）。为了研究掺锡对氧 化锌纳米阵列透光性的影响，我们用 X 射线衍射（XRD）、扫描电镜 （SEM）、透射谱和椭圆偏振仪（SE）对样品进行了表征，并结合等效 介质模型（EMA）理论模拟样品光学常数，根据太阳能光谱 AM1.5 计 算透过光的总功率。 XRD 分析表明纳米棒垂直于基底沿（002）晶向 生长， SEM 和椭圆偏振仪表明样品表面形貌良好，制得的纳米棒直径 II万方数据 II 万方数据 约 300nm, 长度约 1.6μm。 透射谱表明 ZNAs 掺锡之后，在 300-800nm 波段透过率增大。根据 AM1.5 计算获得在样品厚度相同的情况下，掺 杂 5%的 ZNAs:Sn 透过光总功率是不掺杂纳米阵列 ZNAs 的 1.6 倍。 关键词：椭圆偏振仪，半导体，纳米，光学特性 PAGE VI PAGE VI 万方数据 THE STUDY ON PROPERTIES OF TIN DOPED ZnO NANOARRAYS GROWN BY CBD METHOD ABSTRACT The characteristics of zinc oxide depend on its microscopic size and morphology. The complex structure of zinc oxide has been widely studied compared to the membrane structure. The optical, magnetic, electrical properties of ZnO can be changed by doping different elements. By doping Tin, we obtained zinc stannate(Zn2SnO4). However, there is little report about Tin-doped ZnO nanoarrays(ZNAs:Sn) so far. As a buffer layer, zinc stannate can improve the optical transmittance and short circuit current as the transparent conductive electrode of CdTe solar cells. Traditionally, zinc stannate is fabricated by magnetron sputtering. We developed a solution method to prepare ZNAs:Sn which can be used as substitution of Zn2SnO4 in film solar cells. Combine with the theoretical simulation and experiment data, we successfully synthesis ZnO nanoarrays with suitable density and diameter. A proper doping of Sn was found to be a good method to improve the transmittance of nanoarrays. In this thesis, ZnO nanoarrays(ZNAs) and Tin-doped ZnO nanorod arrays(ZNA