电力设备与新能源行业：N型电池片将成为趋势，异质结或成为行业新星.docxVIP

敬请参阅报告结尾处的免责声明 敬请参阅报告结尾处的免责声明 目录 光伏产业的发展核心—电池技术 3 太阳能电池发电原理 3 提高效率的关键—光学损失和电学损失 4 电池技术分类：N 型具有天然优势 5 技术变革是核心竞争力 6 当前最高性价比—P 型 PERC 高效电池 7 P 型 PERC 电池原理 7 PERC 电池的改进—SE 技术和双面 PERC 技术 8 效率瓶颈下 PERC 未来性价比优势渐弱 9 未来电池新天地—N 型异质结（HIT） 10 N 型三大技术之 N-PERT 及其改进 TOPCON—提升有限，与 PERC 仍属同一框架 10 N 型三大技术之 HIT—全新异质结，工序简单、发电高效 12 N 型三大技术之 IBC—尚处中试，仍需完善 13 异质结 2-3 年后走上舞台—成本效率分析 14 HIT 效率优势突出，工序简单、可低温封装 14 降成本是 HIT 电池目前主要任务，预计 21 年或 22 年下降至稳定状态，逐渐替代 PERC 电池 16 HIT 效率优势凸显，度电成本或在 21 年低于 PERC 18 更远的未来—薄膜电池潜力巨大 20 风险提示 22 DONGXING SECURITIES 东兴证券行业报告 P3电力设备与新能源：N 型电池片将成为趋势，异质结有望成为行业新星 P3 敬请参阅报告结尾处的免责声明 光伏产业的发展核心—电池技术 太阳能电池发电原理 光伏发电是直接将清洁能源—太阳辐射能转换为电能的新型发电方式，主要原理是利用半导体在吸收光照时产生的光电效应，亦被称为光伏特效应。其具体现象为当光线照射在太阳能电池上时，光子的能量会被电池吸收实现电子跃迁，形成自由电子从而产生一定的电势差，有了电势差，光能也就直接转为了电能。 目前光伏产业中的电池根据基体的材料不同可以分为晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池，其中晶体硅电池发展相对成熟，成本及效率仍有很大提升空间，是目前市场的主流。无论是何种材料，其基本原理都是利用不同技术形成 P 型材料和 N 型材料，可被看做 P 区和 N 区，并将其放在一起使两种材料之间形成 PN 结（一个稳定的电场，即内在电场），当发生光照时，PN 结中的电子吸收足够能量的光子实现跃迁，从共价键中激发出来，因此产生一个电子-空穴对（空穴即因电子挣脱束缚而形成的一个共价键空位）。在 PN 结这个内建电场结界层的影响下，电子（带负电）向N 区运动，空穴（带正电）向P 区运动，因此 P 区和N 区形成电势差，通过电池外接正负极形成外电路电流，也就是产生了电能。 图 1：太阳能电池 PN 区 图 2：P-N 结形成过程 资料来源：网络资料， 资料来源：网络资料， 我们以目前的市场主流—晶硅电池为例来看具体其工艺是如何实现的，单纯的晶体硅可以产生的自由电子和空穴数目远远无法满足光伏发电的需要，因此通常采用的技术为在纯净的硅中进行掺杂，在其中掺杂磷元素形成 N 型半导体，在其中掺杂硼元素形成 P 型半导体。这是因为在不同元素电子数及电子轨道存在一定差异的情况下，磷元素掺杂在晶硅中后，磷原子很容易和多个硅原子形成共价键而多出一个不稳定的电子（该电子极易挣脱原子核的束缚而形成自由电子）；而硼元素掺杂在晶硅中，硼原子则易于多个硅原子形成共价键而产生一个空穴（该空穴也极易挣脱原子核的束缚而自由移动）。这种掺杂技术使得晶硅电池相对于纯净的晶体硅而言内部存在着大量的自由电子和空穴，以满足发电的需要。二者相接触的部分自由电子和空穴相互吸引，N 型半导体中的自由电子恰好可以和 P 型半导体中形成的空穴相互结合，在交界处形成一个稳定状态的 PN 结，也就是内建电场，不受光照的状态下保持静态，同时阻止 P 区和 N 区的电子和空穴进一步配对。 图 3：N 型掺磷半导体 图 4：P 型掺磷半导体 P4 东兴证券行业报告 电力设备与新能源：N 型电池片将成为趋势，异质结有望成为行业新星  DONGXING SECURITIES 敬请参阅报告结尾处的免责声明 资料来源：网络资料， 资料来源：网络资料， 在光照时发生光电效应来实现光电转换，即 PN 结吸收光能产生自由电子和空穴对，在其自身内建电场的作用下电子移动至 N 区，空穴移动至 P 区形成电势差，外接正负极和负载后，从电子运动来看，电子源源不断地通过导线从 N 区流向 P 区，并和 P 区所存在的大量空穴结合，也就产生了电流，在实际发电时可以通过调节负载而调节电流。 图 5：光照发电效果图 资料来源：网络资料， 光伏发电的核心就是太阳能电池，其光电转换原理也是整个光伏产业的核心原理，电池的转换效率、工艺难度、制造成本、使用寿