ESD与latchup测试总体介绍.pptVIP

HMB ESD failure photo 3、CDM模型和测试方法标准 3、CDM模型和测试方法标准 6、拴锁测试 6、拴锁测试 6、拴锁测试 6、拴锁测试 使用curve tracter测试拴锁 6、拴锁测试 8、ESD测试标准和分类 根据ESD模式分类 HBM测试标准 MM测试标准 CDM测试标准 根据提出标准的组织分类 JESD22系列，JEDEC Solid State Technology Association (Joint Electron Device Engineering Council)提出 ANSI-ESDSTM5.X系列，ESDA协会提出 AEC-Q100系列，汽车电子委员会Automotive Electronics Council提出 MIL-STD-883E系列，美国军方国防部提出HBM 测试特点 HBM测试标准基本上是依据美国军方测试标准MIL-STD-883E改进而成 HBM和MM测试方法差不多???????????????? CDM测试方法和测试仪器与前两者差别大 我公司ESD与Latch up的测试规范 15-1002 集成电路ESD评估规范 15-1003 CMOS集成电路Latch-Up的评估规范 ESD模型及有关测试 1、ESD模型分类 2、HBM和MM测试方法标准 3、 CDM模型和测试方法标准 4、拴锁测试 5、 I-V测试 6、标准介绍 1、ESD模型分类 因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类: (1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) (2) 机器放电模式 (Machine Model, MM) (3) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) (4) 电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM) 另外还有两个测试模型： (5)对于系统级产品测试的IEC电子枪空气放电模式 (6)对于研究设计用的TLP模型 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) 人体放电模式(HBM)的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内，再经由IC放电到地去，如图2.1-1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件 给烧毁。 不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系 显示于图2.1-1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。 机器放电模式 (Machine Model, MM) 有关于HBM的ESD已有工业测试的标准： 图显示工业标准 (MIL-STD-883C method 3015.7)的等效电路图，其中人体的 等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5KΩ。 表是国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD) 对人体放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A114-A) 机器放电模式 (Machine Model, MM) 机器放电模式的ESD是指机器(例如机械手臂)本身累积了静电，当此机器去碰触到IC时，该静电便经由IC的pin放电。因为机器是金属，其等效电阻为0Ω，其等效电容为200pF。由于机器放电模式的等效电阻为0，故其放电的过程更短，在几毫微秒到几十毫微秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生。 此机器放电模式工业测试标准为 EIAJ-IC-121 method20，其等效电路图和等级如下： 机器放电模式 (Machine Model, MM) 2-KV HBM与200-V MM的放电比较如图，虽然HBM的电压2 KV比MM的电压200V来得大，但是200-V MM的放电电流却比2-KV HBM的放电电流来得大很多，放电电流波形有上下振动(Ring)的情形，是因为测试机台导线的杂散等效电感与电容互相耦合而引起的。因此机器放电模式对IC的破坏力更大。 国际电子工业标准 (EIA/JEDEC STANDARD) 亦对此机器放电模式订定测试规范 (EIA/JESD22-A115-A) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) CDM模式ESD可能发生的情形显示： (1) IC自IC管中滑出后，带电的IC脚接触接到地面而形成放电现象。 (2) IC自IC管中滑出后，IC脚朝上，但经由接地的金属工具 而放电。 (1)