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研究掺杂浓度对n 摘 要：在载流子的热运动过程中，载流子与晶格、杂质和缺陷不断碰撞，散射方向发生不规则的变化。无机晶体不是理想的晶体，但有机半导体本质上是无定形的。因此，晶格散射和电离杂质散射存在。因此，载流子迁移率只有一定的数值。迁移率是衡量半导体导电性的一个重要参数。它决定半导体材料的导电性，影响器件的工作速度。对n型GaN和p型GaN的迁移率是反映半导体的导电性的重要参数。相同的掺杂浓度，当载流子的迁移率越大时，半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅与电导率的强弱有关，而且直接决定着载体运动的速度。它直接影响半导体器件的工作速度。本文研究掺杂浓度对n-GaN和p-GaN载流子浓度和迁移率的影响。 关键词： 掺杂浓度; n-GaN; p-GaN; 载流子浓度; 迁移率; 影响 引言 GaN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，是制备蓝光和紫外波段半导体发光器件的理想材料。目前广泛使用的掺杂技术是用镁选择p型氮化镓材料。因为GaN的生长过程中，Mg结合在高温生长气氛氨分解产生的氢形成Mg-H复合体。因此，有必要在高温下直接退火以激活镁，从而获得较高的p电导率[ 2 ]。迄今为止，优良的p型导电GaN的获得仍是一个有待进一步研究和解决的难题。对GaN中的一些杂质和缺陷强烈影响的电学性质深入研究具有重要意义。 一 GaN族载流子浓度 1.1 GaN族载流子浓度的提高和降低 目前，此外,由于GaN缺少理想的晶格匹配衬底,其材料生长存在严重的晶格失配,致使GaN体材料中有较大的缺陷密度[4]。这些缺陷一般认为是施主性质的[1],它们在p-GaN中补偿了一部分受主,导致p-GaN中载流子浓度的降低[5]。它具有优异的化学和物理稳定性，在禁带宽度为1.9到6.2eV室温中可以实现蓝光和紫光的发射。在光电子学领域具有广阔的应用前景[ 1～3 ]。氮化镓本身的物理性质决定了这两种方法是不可接近的。首先，GaN的禁带宽度3.4eV、和电子亲和势为41eV，有一个较大的肖特基势垒p-GaN和金属之间。其次，C和O杂质吸附在p-GaN表面高温处理，如材料的生长和退火过程中会形成一层绝缘。金属电极与氮化镓材料之间形成附加势垒，使接触势垒高度增加。 最近的研究表明，除了金属电极的工作功能和非金属材料的空穴浓度外，非金属材料欧姆接触与材料表面状态密切相关。许多国际研究小组通过湿表面处理改变了样品表面的物理和化学状态，得到了低电阻的p型欧姆接触(6～8)。然而，目前尚缺乏对中国氮化镓材料的物理性能和化学性能报告。此外，由于缺乏理想的晶格匹配衬底，GaN在材料生长中存在严重的晶格失配，导致GaN体材料中存在较大的缺陷密度(4)。这些缺陷通常被认为是[ 1 ]供性能，弥补在p-GaN受体的一部分，导致了[ 5 ] p-GaN载流子浓度降低。此外，在p-GaN受体钝化的存在[ 1 ]，这使得空穴浓度低于p-GaN材料氮化镓电子浓度(1018结构)。 1.2 辐照产生的氮空位破坏耗尽区两侧电荷平衡 为了研究p-GaN表面状态对其欧姆接触特性的影响,我们采用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对p-GaN材料表面进行了分析;并在这些样品上制作了金属电极,对其I-V特性进行了测试。然后通过分析样品表面的镓氮元素化学比(Ga/N)以及C,O含量和样品的电极接触特性,探讨了GaN表面的物理化学特性与金属电极接触特性之间的内在联系。 但只有界面状态的影响到击穿电压的降低注意到未加保护环，表面没有钝化层，所以耗尽区内电场的横向分布会影响击穿电压。由于耗尽区电场强度的横向分布，会产生电场的表面，而表面部分对击穿电压的影响是不容忽视的。由于曲率半径越小，电场强度越大。当小曲率半径部分电场强度达到击穿临界电场强度时，首先击穿该部分，降低肖特基结击穿电压。辐照引起的氮空位破坏了耗尽区两侧电荷的平衡，导致电场强度增大，击穿电压降低。 一般认为原子位移需要在较高温度下退火才能恢复。当界面状态对击穿电压有很大影响时，100℃退火可以恢复反向击穿电压。实验结果表明，在100℃左右辐照有助于减小辐照对肖特基势垒二极管的影响。这是由于在约100摄氏度照射，并诱导缺陷将产生和退火，以恢复[ 8 ]在同一时间内。在异质的激光二极管的高温辐射，[ 9 ]和其他材料和设备也观察外观和高温下的界面缺陷消失[ 10 ] [ 11 ]。 结果表明，氮化镓肖特基势垒二极管的辐射损伤可以在100℃左右辐射，因为GaN基器件可以在高温下工作，该器件工作在100℃，并提高了辐射损伤的阈值。曲率部分易受辐照诱导空位的影响，使击穿电压降低。辐射产生的晶格缺陷也可能导致肖特基端击穿或软击穿。我们