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多晶硅生产工艺废气污染治理 1、概述 多晶硅是半导体工业、 电子信息产业、 太阳能光伏电池产业 的最主要、 最基础的功能性材料， 特别对于多晶硅太阳能电池生 产和集成电路用硅单晶生产， 其重要性不言而喻。 目前国际上多 晶硅生产工艺主要有改良西门子法、硅烷法、熔融析出法、沸腾 床法等。 但从主要工艺技术现状和发展趋势来看， 改良西门子工 艺能够兼容电子级和太阳能级多晶硅生产， 技术成熟、 适合产业 化生产，是目前多晶硅生产普遍采用的首选工艺。 2、生产工艺废气分析 在多晶硅生产过程中，不同的工艺部分会产生不同的废气， 这些气体的主要成分为氯硅烷、 H2、HCl 及微量的 SiH2C12、SiCl4 等物质。废气污染产生情况如表 1 所示。 3、废气污染治理 3.1 尾气干法分离技术 多晶硅生产过程中，产生的氯硅烷合成气、多晶硅还原、氢 化尾气主要成分是 H2、HCl、SiHCl3 、 SiCl4 等。传统的尾气回 收采用的多是湿法回收技术， 但是此种方法会使大量的 HCl 溶于 水而成为酸性废水， 给强酸性废水的处理造成压力， 增加处理费 用；而经普通水淋洗后的 H2饱和了大量水分，同时普通水中的 各种微量杂质亦进入 H2中，造成H2再纯化困难，甚至根本不能 纯化再利用，造成大量浪费。 而干法回收技术是不接触任何水分， 利用尾气中各种组分的 露点、沸点等物理特性上的差异，采用化工、冶金工业常用的闪 蒸分离、精馏分离、吸收分离、吸附等成熟的分离技术，把尾气 中的 H2、HCl、SiHCl3 、SiCl4 逐一分开，既可以返回系统循环 使用，又避免了二次污染和水处理问题。 3.2 含 HCl 废气治理 在氯化氢合成、 氯硅烷分离提纯工序、 多晶硅还原炉开停车 置换吹扫气、 还原尾气和氢化气干法分离过程及多晶硅还原炉事 故排放等过程中均会产生含有氯硅烷或氯化氢的废气， 这些废气 被送进洗涤塔，用10%NaO溶液洗涤，废气中的氯硅烷（以SiHCI3 为例）和氯化氢与 NaOH发生反应而被除去，净化后尾气经 15m 高排气筒排入大气，含有 NaCI和少量Na2SiO3的塔底洗涤液送 往废水处理工序。反应原理如下所示： SiHCI3+3H2O=H2SiO3+3HCI+H2 H2SiO3+2NaOH=Na2SiO3+2H2O HCI+NaOH=NaCI+H2O 3.3含HF和NOX废气治理 在硅芯制备和产品整理使用氢氟酸、 硝酸进行处理时， 将产 生表面处理酸性废气， 在酸洗槽开启的同时有少量的氟化氢气体 挥发出来，而硝酸在受热时会分解出 NO2 NO等氮氧化物气体。 3.3.1 含氟废气处理 吸附法：用粉状或颗粒状吸附剂吸收氟化物，如碳酸钙、氟 化钠等，这些吸附剂与氟化氢气体产生反应， 反应后生成的 NaHF 可以再回收。此法具有工艺过程简单、吸附效果好等优点，但设 备投资大，回收成本也较高。反应原理如下： CaCO3+2HFCaF2+CO2 +H2O NaF+Hf^NaHF2 吸收法： 用抽风机将含氟废气依次抽到多级式吸收塔。 每级 吸收塔均有喷淋水管， 喷出水滴以吸收废气中氟化物， 当废气中 氟化氢和氟化物浓度降低到允许标准浓度以下， 即可从烟囱中排 出。已吸收氟化氢的水溶液由塔的下部排到中和池内， 用石灰水 中和，生成的氟化钙沉淀回收。 3.3.2含NOX废气处理 选择性催化还原法（SCR是以NH3作为还原剂喷入废气， 在较低温度和催化剂作用下，将 NOx还原成N2和H2O所谓选 择性是指NH3只与NOx进行反应，而不与氧发生反应。该法因其 脱除NOx效率可达80%?90%,且还原剂用量少得到最广泛应 用。 选择性非催化还原法（SNCR是在无催化剂作用下，利用 NH3或尿素（（NH2 2CO等氨基还原剂，在 950?1050C温度 范围内，可选择性地还原烟气中的 NOx而基本上不与烟气中 O2 反应。此法关键是对温度的控制。温度过高， NH3氧化为NO的 量增加，导致NOx非放浓度增大；低于 900C时，NH3的反应不 完全，还原剂耗量增加。且NOx还原不完全时会产生有毒的 N2Q 4、绿化措施及建议 由于植物对环境中的低浓度污染物有较大的净化作用。 因此 可在厂区周围及厂界附近，选择具有抵抗 HCI、粉尘能力较强的 绿化树种， 如桑树、 槐树、刺槐、泡桐、 樟树、 大叶黄杨、侧柏、 桂花等进行栽种，加强厂区及周围绿化，既可美化环境，也能减 轻生产排污对环境的污染影响。