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? 线性阻温热敏陶瓷 ? 目前研究的典型线性热敏陶瓷主要是 CdO-Sb 2 O 3 -WO 3 系列。这 类陶瓷实际上是两种盐的机械混合物,其中 CdWO 4 是绝缘体相, Cd 2 Sb 2 O 7 是半导体相。这类陶瓷的在 -40~200 ℃温度范围内阻温特 性呈线性关系。 Dept. of MSE, CQU 108 4.2.2 压敏陶瓷 压敏陶瓷是指陶瓷的电阻值随外加电压变化而发 生显著 非线性变化 的一类半导体陶瓷,主要用于制作 压敏电阻。 压敏陶瓷有 SiC 、 ZnO 、 TiO2 、 BaTiO 3 、 Fe 2 O 3 、 SnO 2 、 SrTiO 3 等。但主要的是 ZnO 、 SiC 两大类。目 前应用最广、性能最好的是 ZnO 压敏陶瓷。 Dept. of MSE, CQU 109 ? 氧化锌压敏陶瓷 ? ZnO 压敏陶瓷以 ZnO 为主要成分,并加入少量的 Bi 2 O 3 、 MnO 2 、 Cr 2 O 3 、 SiO 2 等添加剂起掺杂作用。它是由导电的 ZnO 晶粒及晶粒 周围的晶界相组成在。 ? 低电场强度下,其电阻率为 10 10 ---10 11 ,当电场强度达到 10 6 ---10 7 时,其电阻骤然下降进入低阻状态,即压敏电阻的阻值随所加电压 而改变。 ? ZnO 陶瓷电阻器的原理 典型 ZnO 压敏电阻器的 I-U 特性曲线可分为三个区域:小电流 区、中电流区和大电流区。 Dept. of MSE, CQU 110 ZnO 基压敏陶瓷的 I-V 特性曲线 Dept. of MSE, CQU 111 ? 压敏电阻器与被保护的电器设备或元器件并联使用。当电路出 现雷电过电压或瞬态操作过电压 Vs 时,压敏电阻器和被保护的 设备及元器件同时承受 Vs ,由于压敏电阻器响应很快,它以纳 秒级时间迅速呈现优良非线性导电特性,此时压敏电阻器两端 电压迅速下降,远远小于 Vs ,这样被保护的设备及元器件上实 际承受的电压就远低于电压 Vs ,从而使设备及元器件免遭过电 压的冲击。 ? 晶界层的富 Bi 相是高电阻层,外加电压几乎都加在晶界层上。 这种晶界阻挡层有一宏观击穿电压,一般为 2~3V/ 阻挡层。当外 加电压达到击穿电压时,使界面中的电子穿透势垒层,这就引 起了电流急剧上升。 Dept. of MSE, CQU 112 ? ZnO 压敏陶瓷主要起 过压保护 和 稳压 作用。其应用很广,由其是 在过电压保护方面。 ZnO 避雷器可以用于雷电引起的过电压和电 路工作状态突变造成电压过高。当瞬时过电压超过变阻器的击穿电 压时,变阻器的电流就按其 I — V 特性曲线急剧上升,成为导通的分 路,以保护负载不遭破坏。过电压保护主要用于大型电源设备、大 型电机、大电磁铁等强电应用中,也可用于一般电器设备的过电压 保护。 其优点有限制电压低;响应速度快;对称的伏安特性(即产品无极 性);电压温度系数低 Dept. of MSE, CQU 113 4.2.3 气敏陶瓷 1962 年田口尚义发现用 SnO 3 烧结体制备元件的 电阻率对各种可燃性气体非常敏感,它在不同气体 中的电阻率不同、在浓度不同的同一种气体中的电 阻率也不相同,具有这种特性的陶瓷称为气敏陶瓷 (gas sensor) 。气敏陶瓷对某种气体有敏感性,对其 他气体可能有或没有敏感性。事实上,有应用价值 的气敏陶瓷往往利用材料对某种气体的单一敏感性, 用作检测和分析气体的种类和浓度,特别用于易燃、 易爆和有毒气体的检测。 Dept. of MSE, CQU 114 ? 气敏机理 ? 气敏过程是元件表面对气体的 吸附和脱附 引起 电阻率改变 的过程,这是一个受多种因素控制的物理化学过程。吸附过 程可以分为 物理吸附 和 化学吸附 两种: ? 物理吸附热低,可以是多分子层的吸附,无选择性. ? 化学吸附为单分子层吸附,有选择性,吸附气体与材料表面 形成化学键,有电子交换。 这两种吸附是同时发生的,但对气敏效应有贡献的主要 为化学吸附。 Dept. of MSE, CQU 115 ? 根据元件的功函数与被吸附气体功函数的大小,可将吸附 气体分为两类: ? 如果被吸附气体的电子亲合力大于气敏元件表面的功函数, 被吸附气体的分子会从元件表面夺取电子而以负离子的形式吸 附。具有负离子吸附的气体称为 氧化性(或电子受容性)气体 , 如 O 2 、 NO 2 等; ? 如果元件的功函数大于被吸附气体的离子化能量,元件表面 夺去被吸附气体的电了从而以正离子形式吸附于元件表面。具 有正离子吸附性质的气体称为 还原性(或电子供出性)气体 , 如 H 2 、 CO 、乙醇等。 Dept. of MSE, CQU 116 ? 气敏元件吸附氧化性气体或还原性气体将
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