XPS的特点及主要用途 .docxVIP

PAGE PAGE 1 XPS的特点及主要用途 XPS曲线的横坐标是电子结合能，纵坐标是光电子的测量强度(图23-7、图23-8)。可以按照XPS电子结合能标准手册(表23-1列出了部分数据)对被分析元素举行鉴定。 图23-7 不同办法表面处理SiC后Si 2p的光电子能谱(a)表面沉积TiO2并且光照1h;(b)表面沉积TiO2但置于黑暗中；(c)表面沉积TiO2并且用λ 400nm的光辐射1h;(d)表面不沉积TiO2，仅用λ 400nm的光辐射1h图23-8 三种聚合物的C 1s谱的比较表23-1 C 1s的基团位移①表示为芬芳碳。XPS是当代谱学领域中最活跃的分支之一，虽然惟独十几年的历史，但其进展速度很快，在电子工业、化学化工、能源、冶金、生物医学和环境中得到了广泛应用。除了可以按照测得的电子结合能确定样品的化学成格外，XPS最重要的应用在于确定元素的化合状态。当元素处于化合物状态时，与纯元素相比，电子的结合能有一些小的变幻，称为化学位移，表现在电子能谱曲线上就是谱峰发生少量平移。通过侧量化学位移，可以了解原子的状态和化学键的状况。例如，A12O3中的3价铝与纯铝(0价)的电子结合能存在大约3eV的化学位移差别，而(CuO)与(Cu2O)的化学位移约相差1. 6eV。这样就可以通过化学位移的测量确定元素的化合状态，从而更好地讨论表面成分的变幻状况。I. Yoshie等讨论了用光催化剂TiO2对Sic晶体举行表面处理的XPS能谱(图23-7)。图中给出了经过不同办法表面处理SiC 1 h后Si 2p的光电子能谱。Si表示测定元素Si的结合能，Si后第一个数字代表主量子数，其次项为小写的英文字母，代表电子轨道角量子数。Si 2p谱即硅元素电子结构为Si 2p的内壳层电子结合能谱。图中横坐标表示结合能，单位为电子伏特(eV)，纵坐标表示受X射线照耀而放射出的光量子强度，普通可以不表示出来。从图23-7可以看到，(a)方式处理后，Sic与TiO2发生互相作用，在SiC表面浮现了Si4+的能谱峰；(b)方式只沉积TiO2不辐射，则没有Si4+的能谱峰；(c)中也未观测到Si4+的能谱峰；(d)中有微弱的Si4+的能谱峰。光电子能谱表面分析解释，因为光的辐射，空气中的O2或O3将SiC中的Si氧化，同时按照XPS的定量分析结果，表面O/Si4+的原子比率约为2，解释Si被氧化成SiO2。图23-8分离为、和的C 1s谱。图23-8(a)中碳元素的C 1s结合能值为284.6eV，是高分子中－CH2－结构的C 1s峰值，此谱并无其他伴峰，表白样品由－CH2－结构组成，正巧是聚乙烯的结构。C 1s峰值为284.6eV，普通用作结合能的标度。图23-8 (b)中除了有一个与(a)相类似的强碳峰外，还有一个较弱且不太尖的小峰，称为驼峰，其位置距主峰约7eV,强度约为主峰的1/5，此伴峰是由芬芳环中π电子跃迁(π→π*)产生的。图23-8(c)中有多重峰结构，在碳强峰的高能侧有两个已化学位移了的小峰，按照此小峰的横坐标读数和表23-1列出的C 1S基团位移值，即可查出这两个伴峰分离为C－O(285.8cV)和C=O(288.5eV)。又如，利用XPS分析和Ar+刻蚀相结合的办法，可分析Ti/Mo膜表面的化学元素及相应原子的电子结合能。分析结果表白：Ti膜及膜材料样品表面有大量的C、O元素；膜表面存在从衬底蔓延至Ti膜的Mo元素。对样品刻蚀后Ti 2p的XPS谱举行拟合表白：Ti膜表面的Ti由TiO2(约100％)和单质Ti组成，随着刻蚀时光的增强，部分TiO2还原至低价Ti；薄的薄膜表面中的Mo由单质Mo和MoO3组成，而厚的薄膜以单质Mo为主；表面C由石墨态和结合能为288.2～288.9eV的碳化物组成。1.XPS的特点及主要用途1.1特点1)可以分析除H和He以外的全部元素；可以挺直测定来自样品单个能级光电离后放射出光电子的能量分布，且挺直得到电子能级结构的信息。2)从能量范围看，假如把红外光谱提供的信息称为“分子指纹”，那么电子能谱提供的信息可称作“原子指纹”。它提供有关化学键方面的信息，即挺直测量价层电子及内层电子轨道能级。而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远，互相干扰少，元素定性的标识性强。3)是一种无损分析。4)是一种高敏捷度超微量表面分析技术。分析所需试样约10-8 g即可，肯定敏捷度高达10-18 g。5) X射线光电子能谱的采样深度与光电子的能量和材料的性质有关。普通定义X射线光电子能谱的采样深度为光电子平均自由程的3倍。按照平均自由程的数据可以大致估量各种材料的采样深度。普通对于金属样品为0.5～2nm,对于无机化合物为1～3nm，而对于有机化