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《积体电路原理与设计》重点内容总结 第一章绪论  摩尔定律：(p4)  整合度大约是每18个月翻一番或者整合度每三年4倍的增长规律就是世界上公认的摩尔定律。  整合度提高缘由：  一是特徵尺寸不断缩小，大约每三年缩小[”, ”altimg”: ”d21848cdd835abcb491be1f151e9b6c6.png”, ”w”:  ”26”, ”h”: ”29”}]倍；二是晶片面积不断增大，大约每三年增大1.5倍；三是器件和电路结构的不断改进。  等比例缩小定律：(种类优缺点)(p7-8)  1.恆定电场等比例缩小规律（简称ce定律）  a.器件的全部尺寸都等比例缩小k倍，电源电压也要缩小k倍，衬底掺杂浓度增大k倍，保证器件内部的电场不变。  b.整合度提高k2倍，速度提高k倍，功耗降低k2倍。  c.改变电源电压标準，使用不便利。阈值电压降低，增加了洩漏功耗。  2.恆定电压等比例缩小规律（简称cv定律）  a.保持电源电压和阈值电压不变，器件的全部几何尺寸都缩小k倍，衬底掺杂浓度增加k2倍。  b.整合度提高k2倍，速度提高k2倍。  c.功耗增大k倍。内部电场强度增大，载流子漂移速度饱和，限制器件驱动电流的增加。  3.準恆定电场等比例缩小规则(qce)  器件尺寸将缩小k倍，衬底掺杂浓度增加k（1晶向的硅片，因为这种硅介面态密度低，缺陷少，迁移率高，有利于提高器件效能。  2、製作n阱  首先，对原始硅片进行热氧化，形成初始氧化层作为阱区注入的掩蔽层。然后，根据n阱的版图进行光刻和刻蚀，在氧化层上开出n阱区视窗。通过注磷在视窗下形成n阱，注入后要进行高温退火，又叫阱区推进，一方面使杂质启用，另一方面使注入杂质达到肯定的深度分布。  3、场区氧化  首先，在硅片上用热生长方法形成一薄层sio2作为缓冲层，它的作用是减少硅和氮化硅之间的应力。然后澱积氮化硅，它的作用是作为场区氧化的掩蔽膜，一方面因为氧或水汽通过氮化硅层的扩散速度极慢，这就有效地阻挡了氧到达硅外表；另一方面氮化硅本身的氧化速度极慢，只相当于硅氧化速度的1/25。通过光刻和刻蚀去掉场区的氮化硅和缓冲的二氧化硅。  接下来进行热氧化，由于有源区有氮化硅保护，不会被氧化，只在场区通过氧和硅起反应生成二氧化硅。  4、製作硅栅  目前mos电晶体大多采纳高掺杂的多晶硅作为栅电极，简称硅栅。硅栅工艺实现了栅和源、漏区自对準，减少了栅-源和栅-漏的覆盖长度，从而减小了寄生电容。硅栅工艺也叫自对準工艺。  5、形成源、漏区  6、形成金属互连线  p阱：鸟嘴效应：(p23)  在场区氧化过程中，氧也会通过氮化硅边缘向有源区侵蚀，在有源区边缘形成氧化层，伸进有源区的这局部氧化层被形象地称为鸟嘴，它使实际的有源区面积比版图设计的面积缩小。  闩锁效应：(p27)  闩锁效应是cmos积体电路存在一种寄生电路的效应，它会导致vdd和vss短路，使得晶片损毁。在cmos晶片中，在电源和地线之间由于寄生的pnp和npn双极型bjt相互影响而产生的低阻抗通路，它的存在会使电源和地之间产生大电流，从而破坏晶片或者引起系统错误。  如图所示，假如外界噪声或其他干扰使vout高于vdd或低于0，则引起寄生双极型电晶体q3或q4导通，而q3或q4导通又为q1和q2供应了基极电流，并通过rw或rs使q1或q2的发射结正偏，导致q1或q2导通。由于q1和q2穿插耦合形成正反馈迴路，一旦其中有一个电晶体导通，电流将在q1和q2之间迴圈放大。若q1和q2的电流增益乘积大于1，将使电流不断加大，最终导致电源和地之间形成极大的电流，并使电源和地之间锁定在一个很低的电压（von+vces），这就是闩锁效应。  一旦发生闩锁效应可能造成电路永久性破坏，可以採取以下主要措施防止闩锁效应：  (1)减小阱区和衬底的寄生电阻rw和rs，这样可以减小寄生双极电晶体发射结的正向偏压，防止q1和q2导通。在版图设计中合理安排n阱接vdd和p型衬底接地的引线孔，减小寄生双极电晶体基极到阱或衬底引出端的距离。(2)降低寄生双极电晶体的增益。  (3)使衬底加反向偏压。(4)加保护环，保护环起到减弱寄生npn电晶体和寄生pnp电晶体之间的耦合作用。(5)用外延衬底。  (6)採用soicmos技术是消退闩锁效应的最有效途