SJ_T 2658.13-2015半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数.pdf

ICS 31.080L 53备案号：52040-2015SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658.13—2015代替SJ/T 2658.13—1986半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数Measuring method for semiconductor infrared-emitting diodePart 13: Temperature coefficient for radiant power2015-10-10发布2016-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.13—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；一第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；一第5部分：串联电阻DNRORMATION第6部分：辐射功RY通金第7部分：4E第8部分射第9部分辐强度空间便度角：第10公调制带TECHNOL部分第11响应时闻8第122峰值发长和光谱辐射带宽；第1辐射功温度系数第1结温；部第1热阻；福第1光电转188本部分为为SJT258的第13部分本部分按照GBLT-2009《标准导则第1部分：：标准的结构和编写》给出的规则起草。本部分代替SJ/22658.13—1986《半导体红外发光二极管测试方法输出光功率温度系数的测量方法》，除编辑性修改外主要技术变化如下：修改了辐射功率温度系数的定义（见3.1）；5修改了辐射功率温度系数的测量原理图（见图1）RD细化了辐射功率温度系数的测量量步骤（见5.2）补充了辐射功率温度系数测量方法的规定条件见请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：-SJ/T2658.13—1986。 SJ/T2658.13—2015半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数1.范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1辐射功率温度系数temperaturecoefficientforradiantpower在规定的正向工作电流和温度范围内，器件辐射功率的变化量与温度变化量的比值。辐射功率温度系数按公式（1）计算：α=△P/△T.· (1)式中：辐射功率温度系数，单位为毫瓦每摄氏度或微瓦每摄氏度（mW/℃或μW/℃）；aeAPe-辐射功率的变化量，单位为毫瓦或微瓦（mW或μW）；AT-一环境温度的变化量，单位为摄氏度（℃）。4一般要求测量辐射功率温度系数的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1测量原理图辐射功率温度系数的测量原理图见图1。 SJ/T2658.13—2015指示用电表探测头积分球“探测系统TCS城遮光屏GNDNFORMATAINDUSTRYIF1TIONTECHNOL说明：40DUT-被测器8电流源G1温度控G2电流表A控温装TCS-探测系例的均匀光系统的探测头位于注：被测器件发身时经积分球皮身O积分球内壁测遮光屏为探测器屏蔽富射目被测器则系统的探测头与积分球相比，表面积应该小很多；球内壁和遮光屏表面应有一层高均。被测器件、遮光屏以及匀度、高反射系数（不小0.8）的漫反射镀层；球和探测器组合应该校准，应孩考虑到辐射功率由于功率消耗产生的变化。RDSb控温装置的准确度应优子+辐射功率温度系数测量原理图5.2测量步骤辐射功率温度系数的测量按下列步骤进行：按图1连接测量系统，并进行仪器预热，施加正向电流使其达到规定值IF，控温装置工作于规a)定的温度范围内；在规定的温度范围内至少选取10个温度点，并在每个温度点处恒温（恒温时间不小于15min）b)后按SJ/T2658.6中的积分球法测量相应的辐射功率，绘出辐射功率随温度变化特性曲线；在辐射功率随温度变化特性曲线的线性区内选取两个温度点T和T2，读取T1、T2对应的辐射c)功率值Pei和Pe2;d)按公式（2）计算辐射功率温度系数：Pe2 - Pelα=P /T=-·(2)T2 - T2 SJ/T 2658.13—2015式中：辐射功率温度系数，单位为毫瓦