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基于rram技术的便携式fsr存储 随着计算机、互联网和各种新型电子产品的更新，以高密度、高可口可乐性、长期运营、低效率、快速存储和低成本为特点的电子存储产品的需求也越来越高。同时,现有的随机存储技术逐渐显现出自身的各种缺陷,如断电时信息易丢失、易受电磁辐射干扰等,这在一定程度上限制了其在国防、航天航空等高科技领域的应用。尽管目前占存储器市场较大份额的闪存(Flash)具有非挥发性的特点,但随着半导体工艺技术节点的推进,基于传统浮栅结构的Flash存储器将遇到极为严重的技术障碍,主要表现为随着尺寸缩小,存储器能耗较高,运行速度缓慢等,且相邻存储单元之间的交叉串扰变得显著。这些技术瓶颈的打破不仅有赖于工艺技术的进步,更有赖于新型存储技术和存储器候选材料等各方面的突破,以开发新一代非挥发性存储器。 鉴于此,人们对下一代非挥发性存储器开展了广泛的研究,开发出有望取代现有Flash存储器的新一代非挥发性储器,主要包括利用自发极化现象开发的铁电随机存储器(FeRAM)、利用电致相变现象开发的相变存储器(PRAM)、利用磁电阻效应开发的磁阻存储器(MRAM)、利用电致阻变效应开发的阻变式存储器(RRAM)。RRAM是一种新的存储技术,其器件的记忆功能主要源于电路自身的非线性电阻特性,因此亦称为忆阻器(Memristor),被认为是继电阻器、电容器、电感器之后的第四代电子元件,在下一代非挥发性存储器的竞争中被寄予厚望。Meijer认为在不远的未来,非挥发性存储器将是基于电阻存储而非电荷存储。 目前,已有大量的研究报道了过渡金属氧化物的阻变效应、器件阻变效应的微观物理机制以及改善器件阻变效应的有效尝试。 本文在简要分析RRAM器件优势的基础上,就RRAM器件的基本原理、目前对微观机理的研究、应用中遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行简要评述。 1 rram设备的优势 相比FeRAM、PRAM、MRAM这些非挥发性存储器而言,RRAM器件具有以下特点。 (1) 层-金属mim日照时数结构 RRAM器件的存储单元主要为金属-绝缘层-金属(MIM)三明治结构,如图1所示。尽管有些研究采用多层异质结构作为存储介质,但均只需常规的薄膜制备技术和工艺。 (2) 变效应的脉冲宽度 RRAM器件存储信号的擦写速度由触发器件阻变效应的脉冲宽度决定(见图1),一般小于100ns,在目前的研究报道中,擦写速度最快的是基于HfO2的RRAM器件,为5ns。 (3) rram器件 研究表明RRAM器件阻变效应具有局域特征,电阻发生变化的区域很小,约几纳米,因此器件存储单元可以很小。再者,RRAM器件存在多级电阻转变的现象。利用这些多级的电阻态可以存储不同信息,实现多位数据存储,使存储密度在不改变单元体积的前提下大大提高。 (4) 不同控制器的书写速度对及其它的影响 另外,从器件应用的角度上考虑,存储器均需要考虑的另一个重要参数就是写入电流,因为写入电流直接关系到存储器件的写入速度、功耗、发热、抗疲劳性和稳定性等工作参数。图2为几种存储器的写入速度与写入电流的关系。 从图2中可以看出,PRAM与MRAM的写入速度基本稳定,但写入电流较大,易导致较高功耗。Flash的写入速度很慢,在微秒量级。随着技术的发展,RRAM器件的写入电流减小到10μA量级,而写入速度却达到10ns水平,展示出较大的优势,这也决定了RRAM器件在未来非挥发性存储器竞争中的命运。 2 rram器件电阻转变机理 RRAM器件的存储单元具有简单的MIM三明治结构,其基本工作原理源自器件在合适的外电场的作用下可在高阻值态(HRS)和低阻值态(LRS)之间发生重复、稳定的转换特性,实现布尔逻辑数“0”和“1”的存储。RRAM器件阻变效应的基本过程涉及“Set”和“Reset”两个过程,器件从LRS往HRS的转变过程称为Reset过程;反之,器件从HRS往LRS的转变过程称为Set过程。通常,制备好的器件处于原始的HRS,需要施加一合适的电压或电流使其转变成LRS,此过程称为“Electroforming”过程。研究表明,用一些本征富含氧空位等缺陷的材料制得的RRAM器件处于原始的LRS,其转变效应不需要“Electroforming”过程。 根据RRAM器件电致阻变效应对电压极性的依赖性,可分为单极性(Unipolar)和偶极性(Bipolar),而不同阻变效应所涉及的微观机理也大相径庭。单极性电阻转变的特点是电致阻变效应Set及Reset过程具有相同的电压极性,其Set电压要比Reset电压高,如图3(a)所示;偶极性的电阻转变过程依赖于电压极性,其Reset和Set 两个过程分别在不同极性的电压范围内发生,如图3(b)所示。最近的研究发现,基于某些材料体系如Cu掺杂的ZrO2及CoO、Fe3O4等