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铁电薄膜热力学性质的横场伊辛模型研究 1. 薄膜应力的研究 随着现代薄膜制备技术的发展，各种实验方法可用于制备各种材料的铁电膜。铁电膜材料的研究正朝着规模和实用性的方向发展，已成为世界著名的材料研究领域之一。铁电膜材料的铁电压、介电效应、热释电效应、压电效应、声光效应、折射效应和非线性光学效应对电子和电子仍有良好的应用前景。 铁电薄膜材料具有与均匀的块状材料不同的物理特性,其热力学特性不仅与铁电材料的性质有关,而且和基底材料的选取、实验制备手段、薄膜的厚度等因素有关.其中应力是影响薄膜热力学性质的重要因素之一.铁电薄膜中的应力主要来自于薄膜和基底之间的晶格常数失配、薄膜和基底材料之间的不同的热膨胀系数、氧空位等的缺陷,以及相变构形.实验上通常通过基底材料的选取,或在基底上增加一层缓冲层的方法来改变铁电薄膜中的应力状态.一些实验工作者已经深入研究了应力对铁电薄膜极化、介电、热电、机电耦合等特性的影响.比如Park等人用磁控溅射研究了在压应力作用下BST薄膜的结构和电性质,Kumazawa等人用溶胶-凝胶法研究了有应力作用下的PZT薄膜, Yao等人用溶胶-凝胶法研究了PZT薄膜的剩余应力,徐可为等人用x射线掠射法测薄膜的应力.关于这方面的理论研究工作已有不少. 在理论上,一般采用Ginzburg-Landau理论和横场伊辛模型来研究铁电薄膜的物理性质.Chew等人用Landau理论研究了表面作用和表面引起的应力对铁电薄膜二级相变性质的影响.Wang等人也用这个理论研究了在单轴应力作用下的铁电薄膜的一级相变性质.我们小组曾研究了应力对具有长程相互作用的铁电薄膜体系的影响.另外,对PT和ST外延铁电薄膜的应力-温度相图也作了一定的研究.运用横场伊辛模型来研究应力对铁电薄膜材料的热力学性质的影响,目前尚未见报道.自从de-Gennes引入基于横场伊辛模型的赝自旋理论来描述有序-无序型铁电相变以来,这个模型已经成功地应用于研究铁电薄膜、双层膜、超晶格等的介电、铁电特性.本文是在横场伊辛模型的理论框架内,研究应力对自发极化、居里温度、极化率等的影响.本文的理论结果和一些实验结果是一致的. 2. 薄膜的物权测试 我们所考虑的铁电薄膜是由N层构成的简立方结构,每一层都被定义在x-y平面内,赝自旋处于平面内的正方晶格中,如图1(a)所示.把薄膜和基底材料接触的一面叫做界面层,而把薄膜的另一面叫做表面层,z轴垂直于膜面,从界面层指向表面层.对于一个二级相变的铁电薄膜系统其哈密顿量可以写成 Η=-12∑i,jJijSziSzj-Ω∑iSxi-2μE∑iSzi,(1)H=?12∑i,jJijSziSzj?Ω∑iSxi?2μE∑iSzi,(1) 其中Sxixi,Szizi是在第i个格点上赝自旋(s=1/2)在x方向和z方向上的分量,Jij是最近邻赝自旋之间相互作用的耦合常数,Ω是隧穿频率,μ是单个离子的偶极动量,E是外电场. 考虑到应力,下面对横场伊辛模型作一些修正.假设这里的应力是一个二维的应力,它位于薄膜平面内.因此,仅仅对同一层上的两个最近邻格点之间的赝自旋相互作用的耦合常数进行修正,相邻层间最近邻格点之间的赝自旋相互作用的耦合常数保持不变.其数学表达式为 Jij={Jb-Δii,j属于同一层?Jbi,j不属于同一层?(2)Jij={Jb?ΔiJbi,j属于同一层?i,j不属于同一层?(2) 其中Jb是体内的相互作用常数.实验结果表明,在薄膜和基底之间的界面层上的应力取最大值,依次往膜的表面层逐渐衰减.因此,(2)式中的Δi所表示的应力与其在薄膜中的位置有关,它表示第i层的应力.类似于文献,第i层应力的数学表达式为 Δi=Δ?e-i-1τ,(3)Δi=Δ?e?i?1τ,(3) 其中Δ代表薄膜和基底之间的界面层上的应力,其大小和性质依赖于薄膜和基底材料.Δ0表示张应力,Δ0表示压应力.τ定义为扩散长度,它代表应力从薄膜和基底之间的界面层起应力的衰减程度.当i=τ+1时,应力就衰减到界面层的1e1e,这时可以认为应力很小.也就是说τ代表应力所能传递的深度,即扩散长度的定义.由平均场理论,第i层的哈密顿量可以表示为 Ηi=-hiSzi-ΩSxi,(4)Hi=?hiSzi?ΩSxi,(4) 其中 hi=∑jJijmj+2μE={4(Jb-Δ1)m1+Jbm2+2μEi=1?4(Jb-Δi)mi+Jbmi-1+Jbmi+1+2μE1iΝ?4(Jb-ΔΝ)mΝ+JbmΝ-1+2μEi=Ν.(5)hi=∑jJijmj+2μE=?????4(Jb?Δ1)m1+Jbm2+2μE4(Jb?Δi)mi+Jbmi?1+Jbmi+1+2μE4(Jb?ΔN)mN+JbmN?1+2μEi=1?1iN?i=N.(5) 在单格点平均场理论的框架下,第i层的赝自旋平均值可表述为