光学光刻技术的发展.docxVIP

光学光刻技术的发展 1947年世界首次祖母去世后，祖母昆虫和各种微型化技术开始发展成为现代高新技术行业的主要支柱。作为微加工关键技术之一的光刻技术的发展印证了每18~24个月集成度翻一番的摩尔定律的预言。随着经济发展的要求促使半导体业特征尺寸朝着不断缩小的方向发展,但受曝光波长衍射极限的限制,光学光刻的技术已无法满足纳米制造技术对线宽高分辨率的要求。在现有技术条件下提高光学光刻分辨率制造设备的成本将以指数形式增长。为了避免使用昂贵且复杂的光源和投影光学系统,纳米压印光刻技术(nano-imprint lithography,NIL)这一低成本图形转移技术的提出和发展越来越多地为人们所知。 NIL技术的研究始于华裔科学家普林斯顿大学纳米结构实验室的Stephen Y.Chou教授。纳米压印是将具有纳米级尺寸图案的模板在机械力的作用下压到涂有高分子材料的衬底上,进行等比例压印复制图案的工艺。其实质就是液态聚合物对模板结构腔体的填充过程和固化后聚合物的脱模过程。其加工分辨力只与模版图案的特征尺寸有关,而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制。目前实验室环境下使用NIL技术已经可以制作出线宽在5 nm以下的图案。由于省去了光学光刻模掩板和使用光学成像设备的成本而采用图形复制的加工方法,因此NIL技术具有低成本、高产出的经济优势。作为一种低成本的下一代光刻技术(Next Generation Lithography,NGL)纳米压印技术将为纳米制造提供新的机遇,被誉为十大可改变世界的科技之一。 NIL较之现行的投影光刻和其他下一代光刻技术,具有高分辩率、超低成本(国际权威机构评估同等制作水平的NIL比传统光学投影光刻至少低一个数量级)和高生产率等特点,已被纳入2005版的国际半导体蓝图,并被排在16 nm节点。纳米压印技术作为微纳米制造的一种新方法,具有巨大的发展潜力和应用前景,现已为众多国家所关注,并积极投入到其研究开发工作中去。国外普林斯顿大学、德克萨斯大学、哈佛大学、密西根大学、林肯实验室、摩托罗拉、惠普公司及瑞士的Paul Schemer研究所、德国亚琛工业大学等众多知名大学和研究机构都在致力于纳米压印光刻技术的研究、开发与应用。目前全世界已有五家纳米压印光刻设备提供商:美国的Molecular Imprints Inc、Nanonex Corp,奥地利的EV Group,瑞典的Obducat AB和德国的Suss Microtec Co.Inc。纳米压印技术研究在中国的起步虽然晚,但进展却非常迅速。目前国内已有很多单位在研究纳米压印技术,主要研发单位包括西安交通大学、复旦大学、北京大学、南京大学、吉林大学、上海交通大学、苏州大学和中科院等。 1 纳米压印图型转移 纳米压印是一种全新的纳米图形复制方法,实质上是将传统的模具复型原理应用到微观制造领域。它是利用不同材料(即模具材料和预加工材料)之间的杨氏模量差,使两种材料之间相互作用来完成图形的复制转移。纳米压印图型转移是通过模具下压使抗蚀剂流动并填充到模具表面特征图型的腔体结构中;完成填充后在压力作用下使抗蚀剂继续减薄到后续工艺允许范围内(设定的留膜厚度),停止下压并固化抗蚀剂。与传统光刻工艺相比,压印技术不是通过改变抗蚀剂的化学特性实现抗蚀剂的图形化,而是通过抗蚀剂的受力变形实现其图形化。纳米压印技术自提出以来,在3种典型传统技术(热压印光刻技术、紫外常温压印光刻技术、微接触压印技术)的基础上不断创新发展并提出了许多新工艺。 1.1 抗蚀剂为pmma法 热纳米压印技术(Hot Embossing Lithograph,HEL)是指在压力作用下使硬模板上图形转移到已加热到玻璃态的热塑性聚合物中的压印技术,具体工艺如图1所示。热压印工艺的主要步骤如下:首先,利用电子束直写技术(EBDW)制作具有纳米尺寸图案的Si或Si O2材料模版,在衬底上均匀涂覆一层热塑性高分子光刻胶(通常以PMMA为主要材料),将衬底上的光刻胶加热到玻璃转换温度(Glass Transfer Temperature)以上(110℃),利用机械力将模版压入高温软化的光刻胶层内,并且维持高温、高压一段时间,使热塑性高分子光刻胶填充到模版的纳米结构内,待光刻胶固化成形之后,释放压力并使模版与衬底脱离。 热压印技术所使用的抗蚀剂为PMMA与现行电子行业相同,在后续光刻工艺中不需要重新调配工艺参数,与现有的微电子工业生产线吻合性良好,这是该工艺的技术优势。但是热压印技术需要加热,且压印力很大,会使整个压印系统产生很大的变形;同时,该工艺采用的是硬质模具,无法消除模具与衬底之间的平行度误差及两平面之间的平面度误差;此外,模板在高温条件下,表面结构或其他热塑性材料会有热膨胀的趋势,这将导致转移图形尺寸的误差且增加了脱模的难