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太阳电池减反射膜的仿真与优化 太阳电池是一种能将光能转化为导电光器的光电能。它的光转换效率将总输出与太阳电池表面总光照强度的比率。为了提高电池的光转换效率，应减少电池表面的光反射损失，增加光的入射率。现在主要采用两种方法：（1）将电池表面腐蚀成毛面，并增加光在电池表面的入射次数；（2）在电池表面上刻制一层或多层光学材料的减反射膜，直接影响太阳电池对入射光的反射率，对提高太阳电池的效率起到了非常重要的作用。在这项工作中，我们以硅太阳电池为例，根据光学薄膜原理，模拟模拟计算机模拟硅太阳电池减反射膜，模拟反射率r（）与波长的关系曲线，并选择最小反射参数。我们为高效硅太阳电池减反射膜的制备提供了理论指导。本文提供了几种常用的减反射膜材料制备单、双、三层膜的膜系参数，讨论了太阳电池封闭液和太阳电池表面活性剂对反射率变化曲线的影响，并将其应用于实际生产。 1 膜系反射率曲线的基本假设 单层减反射膜是利用光在减反射膜的两侧处反射光存在位相差的干涉原理而达到减反射效果, 可利用菲涅耳公式求得反射率.对于多层膜系, 可以用一个等效界面来表示, 只要求得等效导纳Y, 就可以求得膜系的反射率.反射率R的计算方法如下: 已知m层膜系的各层膜材料的折射率和厚度分别为nk,dk(k=1, 2, ……,m) , 入射介质和电池基底材料折射率分别为n0、nm+1, 光波入射角θ0,ηk为光学导纳.第m层的干涉矩阵为 M=∏k=1mMk?Μ=∏k=1mΜk? 其中,Mk为第k层的干涉矩阵 Mk=[cosδkiηksinδki(sinδk)/ηkcosδk]?Μk=[cosδki(sinδk)/ηkiηksinδkcosδk]? 式中,δk=2πnkdkcosθk/λ(k=0, 1, ……,m) 为位相厚度, ηk={ηk/cosθkP分量?ηkcosθkS分量?k=0,1,??,m?ηk={ηk/cosθkΡ分量?ηkcosθkS分量?k=0,1,??,m? 而θk可由下式逐次求出: n0sinθ0=nksinθk?k=1?2????m,m+1?n0sinθ0=nksinθk?k=1?2????m,m+1? 一般, 膜系的干涉矩阵是一个2×2的干涉矩阵, M=[M11M21M12M22]?Μ=[Μ11Μ12Μ21Μ22]? 令[BC]=M?[1ηm+1][BC]=Μ*[1ηm+1], 则等效导纳Y=CBY=CB, 对波长λ的光整个膜系的反射率为 R(λ)=(η0?Yη0+Y)(η0?Yˉˉˉˉˉˉˉˉˉη0+Y).R(λ)=(η0-Yη0+Y)(η0-Yˉη0+Y). 膜系的反射率R取决于上面的膜系参数.一般情况下, 入射角和入射光光谱分布是已知的, 因此膜系的反射率可通过调整层数m和各层膜的光学厚度nidi(i=1, 2, …,k) 来得到最佳的反射率曲线. 在设计中, 为简化设计的复杂性, 作了以下的基本假定: (1) 由于硅的吸收系数较小, 可忽略消光系数的影响; (2) 把材料的折射率看作是恒定值, 不随波长变化, 即忽略材料的色散效应; (3) 只考虑了入射光垂直入射到电池表面的情况.由于硅的光谱响应范围为300~1 200 nm, 所以只考虑波长在300~1 200 nm范围的光的减反射.为了使硅能够吸收更多的光子, 并将这些光能转换为电能, 我们在设计时尽量使有最小反射率的光的波长接近电池材料的光谱响应峰值, 同时也要兼顾太阳光的光谱特性.我们考虑了太阳光谱及硅的光谱响应, 把550 nm确定为中心波长, 欲使反射率最小, 就要使在中心波长550 nm 附近的光反射率尽可能的小, 同时还要兼顾在300~1 200 nm 范围内其它波长点光的减反射, 以使得在此波长范围内光的整体反射率达到最小. 2 结果的模拟和实验 2.1 双层减反射膜的比较 以MgF2(n=1.38) 、SiO2(n=1.46) 、Al2O3(n=1.9) 、TiO2(n=2.3) 材料为例, 由计算机仿真得到在空气中的反射率变化曲线 (图1~4) .由图1可以看出, 波长一定时, 随着厚度的变化反射率R也有较大的变化, 折射率大的材料的反射率对厚度的变化更敏感, 而折射率小的材料对厚度变化的依赖性要小一点.对于不同的材料, 都有一个最佳的厚度值, 对应着最小的反射率.由图2可以看出, 对于单层膜, 采用Al2O3(n=1.9) , 厚度d=72 nm时, 减反射效果比较好.但仅仅对中心波长附近的光的减反射效果较好, 对远离中心波长的光的减反射效果不太理想, 不能在电池的光谱响应的最大波长范围内降低反射率.图3为4种双层减反射膜的反射曲线.比较图2、3可以看出, 优化后的双层膜在很大的波长范围内都有较小的反射率, 在300~1 200 nm 波长范围内, 双层膜比单层膜的减反