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nai闪烁晶体的研究进展

nai（tl）是一种性能良好的传统相机辐射晶体。它对x和d辐射具有良好的分辨率能力。x和d辐射的能量和强度可以通过测量。NaI(Tl)晶体的发光效率在所有与光电倍增管耦合的闪烁晶体中是最高的，通常被定义为100%，其他闪烁晶体的发光效率则以其相对于NaI(Tl)发光效率的百分数来表示。该晶体除了具有出色的发光性能外，还有较高的能量分辨率，在发光波段没有自吸收，且易于生长大尺寸晶体，制造成本低，还可通过热锻工艺得到大尺寸和异形晶体，自20世纪60年代初投入使用至今已有40多年的历史，广泛应用于石油地质勘探、核医学、高能物理、环境监测、工业CT等领域，其间不但未被新型闪烁晶体所取代，而且需求量多年来呈整体上升趋势，始终保持着在无机闪烁晶体中产量和用量领先的地位。

NaI(Tl)单晶体是以NaI为基质材料掺以适当浓度的碘化铊（TlI）生长而成，其中TI+作为激活离子，在吸收射线能量后成为发光中心。晶体生长方法一般采用坩埚下降法或提拉法。

热锻NaI(Tl)晶体是在一定的温度和压力下通过塑性形变而成，晶体在发生塑性形变后，由于位错的不断交互和增殖，形成了位错多边化和亚晶粒结构，改善了原单晶易沿（1,0,0）面解理的特性，从而提高了其抗温度冲击和机械震动的能力，而闪烁性能不受影响。此外，通过热锻工艺更易于制备各种复杂几何形状和大尺寸的晶体，如六边形、矩形等以及长度超过200mm的晶体。

常用的不同晶体结构

一般来说，选用无机闪烁材料，要求其发光效率和能量分辨率高、发射光谱与光电转换器件光谱响应相匹配、发光衰减常数小、余辉尽可能短、密度大、原子序数高、力学性能便于加工、温度效应小、化学性能稳定、不易潮解便于维护、抗辐照性能好等。但是到目前为止，还没有一种闪烁晶体能同时满足上述所有的要求，一般需要根据不同的使用要求和场合选择适合的晶体。表1列出了NaI(Tl)和其他几种常用闪烁晶体的性能。

图1是NaI(Tl)晶体的发光光谱，其最大发射波长在415nm，能与光电倍增管的光阴极很好匹配。图2表示了温度对晶体光输出的影响。可以看出，相对于CsI和BGO晶体，NaI(Tl)在高温时具有更高的发光强度，这使其在环境温度较高的场合有更强的适应性，例如油井或空间探测。

NaI(Tl)晶体较易受辐射损伤，若长时间暴露在高强度的辐照下则会降低其闪烁性能，一般在射线强度高于102rad时就会观察到辐射损伤。所以晶体不要暴露在来自荧光灯或太阳光的紫外线辐照下。

此外，NaI(Tl)晶体易潮解，需封装后使用，封装质量的好坏直接影响到晶体的使用性能。

晶体结构及热锻技术应用

NaI(Tl)闪烁晶体早在20世纪50年代就出现，60年代初开始应用至今。目前法国Saint-Gobain公司的产品和技术居领先地位，该公司NaI(Tl)探测元件抗冲击性能已达到1000g、耐温达到200℃，圆片NaI(TI)晶体直径达到Ф800mm。该公司研制的大尺寸NaI(Tl)晶体几乎垄断了国际市场，其产品规格有：直径Ф800mm的圆片、100×150×(400～1200)mm的四方形晶体等。该公司主要采用提拉法生长直径Ф300mm以上的大晶体，该方法易于获得高质量的大尺寸单晶体，但对生长设备要求高，设备价格昂贵，因此生产成本较高。对于直径Φ250mm以下的晶体，主要是采用坩埚下降法技术制备，由于一炉可同时生长多根甚至数十根晶体，从而制造成本较低，对于Ф68×300mm、50×80×300mm的长柱状晶体，则采用单晶经热锻压制备。此外，乌克兰、日本、捷克的一些公司也有NaI(Tl)产品销售。

国内于上世纪70年代由核工业部261厂和北京化工厂开始NaI(Tl)晶体的研制和生产，采用坩埚下降法生长技术，晶体尺寸在Φ130mm以下。在90年代初相继又出现3家私营公司从事NaI(Tl)晶体材料的研制和生产，但由于技术力量薄弱，在产品质量和尺寸上未有突破。目前国内在大尺寸柱型晶体（Φ65×300mm以上）、异型晶体（50×80×300mm方形、六角形、三角形）以及大尺寸园片晶体（Φ300mm以上）方面处于空白，依赖于进口。

中材人工晶体研究院于“六五”期间在国家科技攻关项目的支持下，在国内首次进行NaI(Tl)等离子晶体材料的热锻工艺研究，以NaI单晶作为毛坯，采用热锻压技术得到所需要的晶体形状和尺寸，项目成功通过国家鉴定。“七五”和“八五”期间，在国家相关研究项目的资助下，晶体院的离子晶体热锻技术得到进一步完善，目前处于国内领先水平，可制备出Φ62×302mm的热锻NaI(Tl)晶体。2001年晶体院组建了集单晶生长、热锻和加工封装于一体的完整的NaI(Tl）晶体生产线。近