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集成电路封测行业深度报告：先进封装助力高速互连

1先进封装市场占比提升

海量数据催生高带宽需求，先进封装不断迭代。随着各行业应用中产生的数据量不断增长，对高带宽的需求与日俱增。尤其是机器学习和AI相关应用需要强大的处理能力，因此需要在芯片上高密度的集成晶体管。封装也不例外，封装形式的迭代均是通过以下两个途径以提高带宽：1）增加I/O数量。封装厂选择制造多层RDL以扩大I/O点的范围，并在每一层RDL中不断缩小L/S线距以容纳更多的I/O点。2）增加传输速率，通过减小裸芯之间的互联距离和选择具有更低介电常数的材料来实现。

先进封测市场占比迅速增加。先进封装市场规模将从2021年的321亿美元增长到2027年的572亿美元，CAGR达10.11%。根据市场调研机构Yole，2022年先进封装占全球封装市场的份额约为47.20%，预计2025年占比将接近于50%。中国市场中先进封装占比低于全球水平，2022年为38%，自2014年以来与全球市场的差距正在逐步缩小。

倒装为目前主流，2.5D/3D封装高速增长。2021年FCBGA和FCCSP占比分别为33.69%和19.76%，合计占比超50%。其次为2.5D/3D封装，2021年占比为20.57%，主要由台积电供应。在各封装形式中，2.5D/3D封装的增速最快，2021-2027年CAGR达14.34%，增量主要由AI、HPC、HBM等应用驱动。

先进封装市场主要由HPC、网络和消费应用驱动。HPC和网络应用的大部分增长来自AI芯片、边缘计算和网络芯片，它们需要扇出型封装以提供小尺寸和节约成本。2022年只有不到20%的数据中心使用2.5D封装，但在2027年这一比例将有望超过50%。3D封装将加速在HBM、CPU、GPU中的渗透。消费电子应用领域的重要客户是苹果，其应用处理器、图形芯片、5G/6G调制解调器芯片均使用扇出封装。

先进封装市场马太效应明显。2021年ASE市占率居首，份额为26%。台积电和安靠并列第二，长电科技位列第四，市占率为10%。2021年CR5为76%，而2016年CR5为48%，5年间提升了28%，份额前五名中仅长电和日月光仍位列其中。

Fab/IDM厂和OSAT错位竞争：Fab/IDM厂商涉足3D堆叠，OSAT主攻倒装、扇出和晶圆级封装。Fab/IDM厂基于前道制造优势和硅加工经验，聚焦产品性能，多开发基于Si-interposer的2.5D或3D封装技术。从头部厂商的封装类型来看，三星的3D堆叠产品最高，达67%，主要系其存储产品占比较高所致。其次为台积电，3D堆叠占比为46%；凭借其InFO在苹果产品中的渗透，台积电扇出型封装占比也达到了33%。OSAT厂商则聚焦于载板技术，成本为先，产品结构中倒装仍是主力，FCBGA和FCCSP占比在ASE中为38%和29%，在安靠中为28%和33%，在长电中为28%和31%。

内资封测企业中甬矽电子、通富微电先进封装占比领先。甬矽电子目前封装技术以SiP为主，先进封装产品占比达100%。通富微电、长电科技、华天科技技术布局最为广泛，且均已具备2.5D/3D的技术储备，未来先进封装占比有望继续提升。

凸点间距（BumpPitch）越小，封装集成度越高，难度越大。从BumpPitch来看，台积电3DFabric技术平台下的3DSoIC、InFO、CoWoS均居于前列，其中3DSoIC的bumpPitch最小可达6um，居于所有封装技术首位。BumpPitch间距最小的3DSoIC和FoverosDirect仍在研发中，尚未量产。目前已经量产的封装技术中，bumppitch最小的为台积电的InFO_LSI。

2核心技术赋能先进封装

2.1键合技术：Bumppitch不断缩小，混合键合趋势已来

2.1.1倒装键合

倒装芯片的组装主要有两种方式，间接键合和直接键合。通过回流焊凸点焊球或者TCB热压键合的属于间接键合，特点是芯片与基板之间有中间材料。通过混合键合，铜与铜扩散键合，中间没有其他材料的方式是直接键合。铜柱凸点是高密度、窄节距集成电路封装市场主流方式。随着先进封装对凸点间距要求越来越小，为了避免桥接现象的发生，实现更高I/O密度，IBM公司于21世纪初首次提出了铜柱凸点。在焊料互连过程中，铜柱凸点能够保持一定的高度，可以防止焊