HBM3E量产在即，关注国产HBM突破和产业链受益.docxVIP

HBM（HighBandwidthMemory）是三星、AMD和SK海力士发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟，适用于高存储器带宽需求的应用场合。从技术角度看，HBM使DRAM从传统2D转变为立体3D，充分利用空间、缩小面积，契合半导体行业小型化、集成化的发展趋势。

表2：不同次代HBM规格比较

次代

速率(Gb/s)

带宽(GB/s)

堆叠层数

Die容量(Gb)

HBM容量(GB)

HBM

1

128

8

16

16

HBM2

2

256

8

16

16

HBM2E

3.6

461

12

24

36

HBM3

6.4

819

16

32

64

HBM3E

9.6

1229

16

32

64

资料来源：Rambus，

SK海力士率先量产HBM3E，HBM4或于2026年推出。根据半导体行业观察，SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E的开发工作，并顺利完成英伟达历时半年的性能评估，计划于3月开始大规模生产HBM3E产品，这批HBM3E将用于英伟达下一代Blackwell系列的AI芯片旗舰产品B100上，而英伟达则计划于2024年第二季度末或第三季度初推出该系列产品。根据TrendForce，HBM4预计规划于2026年推出，或采取HBM堆栈在SoC主芯片之上的封装方式。

图2：三大原厂HBM产品开发进展

资料来源：TrendForce，

SK海力士、三星和美光三分天下。根据TrendForce预测，2023年SK海力士HBM3产品领先其他原厂，是NVIDIAServerGPU的主要供应商；三星则着重满足其他云端服务业者的订单，在客户加单下，2023年与SK海力士的市占率差距大幅缩小，2023~2024年两家

业者HBM市占率预估相当，合计拥有HBM市场约95%的市占率，不过因客户组成略有不同，在不同季度的位元出货表现上或有先后。美光2023年专注开发HBM3E产品，相较两家韩厂大幅扩产的规划，TrendForce预期2023~2024年美光的市占率会受排挤效应而略为下滑。

图3：HBM市场竞争格局

资料来源：TrendForce，

国内存储厂商入局HBM市场。根据采招网，近日，武汉新芯发布《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器（HBM）产品，推进多晶圆堆叠工

艺产业化，新增生产设备约17台/套，拟实现月产出能力≥3000片（12英寸）。我们认为，国内存储厂商在HBM技术上的加速突破，有望在AI大浪潮的需求下提升竞争实力，相关产业链也或将受益。

AI浪潮驱动，HBM先进封装、设备材料产业链环节持续受益

HBM制造工艺包括TSV、Bumping和堆叠等工艺环节。HBM是由多个DRAMdie堆叠而成，利用硅通孔（TSV）和微凸块（Microbump）将die之间相连接，多层DRAMdie再与最下层的Basedie连接，然后通过凸块（Bump）与硅中阶层（interposer）互联。HBM与GPU、CPU或ASIC共同铺设在硅中阶层上，通过CoWoS等2.5D封装工艺相互连接，硅中介层通过CuBump连接至封装基板（PackageSubstrate）上，最后封装基板再通过锡球与下方的PCB基板相连。

硅刻蚀晶圆载片脱粘黏贴承载薄膜

硅刻蚀

晶圆载片脱粘黏贴承载薄膜

TSV铜填充

晶圆回流焊

钝化CMP

TSV铜曝光

TSV铜CMP

BEOL金属化

TSV曝光背面钝化

正面凸点形成

资料来源：SK海力士，

存储大厂高度聚焦先进封装，HBM4或将直接放置在处理器上。根据全球半导体观察，目前HBM存储芯片的整体良率在65%左右，HBM良率的高低主要受到其堆叠架构复杂性的影响，这涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通TSV技术。这些复杂技术增加了制程缺陷的风险，可能导致良率低于设计较简单的内存产品。因此存储大厂纷纷加码HBM先进封装，提升HBM良率并降低功耗。此外，根据CFM，SK海力士拟将新一代HBM4堆栈直接放置在处理器上，通过3D堆叠的形式进一步提高I/O数量。

HBM4HBM3/3E图5

HBM4

HBM3/3E

资料来源：Synopsys，