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内容目录
先进封装:超越摩尔定律,助力芯片性能突破 6
半导体封装所属集成电路后道工艺,封装工艺持续优化提升 6
四大要素助力先进封装提质增效、系统集成 9
倒装(FlipChip)与凸块(Bump) 11
RDL(重布线层) 12
WLP(晶圆级封装) 13
2.5D/3D封装与TSV技术 14
CoWoS和HBM:相辅相成,AI芯片的绝佳搭档 16
CoWoS:AI时代的先进封装版本答案 16
AIGPU强需求,先进封装进入算力时代大赛道 16
台积电CoWoS性能优异,AI芯片应用匹配度高 17
2.1.1.CoWoS供不应求,传统封装大厂加速入局相关工艺端 21
HBM:AI芯片的最佳显存方案,市场需求高涨 22
HBM缓解内存墙问题,满足AI高性能动态存储需求 22
从HBM1到HBM3E性能倍增,三大厂竞争亦越演愈烈 24
HBM单位价格远高于传统存储器,AI服务器需求猛增有望拉动出货 26
本土先进封装产业链:厚积薄发、加速成长 29
刻不容缓:海外高性能芯片管制加强,AI芯片自主可控大势所趋 29
提前布局:国产封装大厂打开成长空间 32
未来可期:本土先进封装相关设备/材料有望受益 34
先进封装工艺流程提出更高要求 34
建议关注配套设备国产厂商: 38
建议关注 45
风险提示 45
图表目录
图1:封装所属集成电路产业后道 6
图2:半导体封装等级 7
图3:半导体封装的内部和外部结构 7
图4:决定封装类型的三要素:内部结构、外部结构和贴装 7
图5:芯片I/O增速仅为晶体管增速的一半 8
图6:封装引线节距和封装效率的演化 8
图7:集成电路进入后摩尔时代,先进封装提升整体性能 9
图8:先进封装应用场景丰富 10
图9:全球先进封装细分市场规模(亿美元) 10
图10:先进封装四要素 10
图11:倒装示意图 11
图12:倒装键合的信号传输相比引线键合更近更快 11
图13:采用RDL技术地芯片与剖面图 12
图14:RDL层重排布线,扩展I/O触点 12
图15:与传统封装线切割后封装不同,WLP先封装再切割 13
图16:晶圆级封装显著缩小封装面积 13
图17:扇入型和扇出型WLP对比 13
图18:FIWLP、FOWLP和InFO(集成Fan-Out) 13
图19:晶圆级封装及面板级封装芯片占用面积比 14
图20:面板级封装成本与晶圆级封装相比降低66% 14
图21:大语言模型参数规模呈现“指数级”增长 16
图22:参数规模已突破万亿 16
图23:中国2022年AI芯片市场占比 17
图24:24Q1英伟达独立(discrete)GPU份额达88% 17
图25:CoWoS示意图 17
图26:台积电三种CoWoS封装结构 19
图27:台积电3DFabric先进封装产品矩阵涵盖CoWoS、InFO和SoIC等 20
图28:台积电、英特尔、三星的2.5D/3D封装布局 20
图29:CPU与存储器发展趋势 22
图30:训练不同神经网络模型所需的内存量 22
图31:HBM堆叠DRAM结构 23
图32:HBM1(JESD235标准) 23
图33:HBM堆叠结构可提升总带宽 23
图34:HBM2较GDDR5单引脚I/O带宽功耗降低42% 23
图35:HBM竞争格局(2022年和2024年) 24
图36:HBM不同世代占比变化(2022-2024年) 24
图37:SK海力士官网、三星和美光的HBM路线图 25
图38:各类HBM以及常规DRAM每GB平均价格(美元) 27
图39:各类HBM的平均价格(美元) 27
图40:GPU中HBM提供存储,HBM中多层DRAM颗粒堆叠 27
图41:多个GPU组成服务器 27
图42:中国智能算规模及预测,2019-2026(百亿亿次浮点运算/秒,EFLOPS) 30
图43:国内封测大厂为海外客户提供封测服务营收占比 33
图44:IC制造和封测流程 34
图45:先进封装产业链所属签到晶圆制造合后道封测之间 35
图46:电镀焊料凸块的工艺流程 36
图47:基于RDL工艺晶圆级封装工艺流程 37
图48:制造TSV的通用流程原理图 38
图49:制造TSV三种工艺流程 38
图50:新益昌全自动平面固晶机HAD810 39
图51:2024年全球固晶机应用领域份额
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