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典型DRAM晶片2164A2164A：64K×1bit採用行地址和列地址來確定一個單元行列地址分時傳送，共用一組地址信號線地址信號線的數量僅為同等容量SRAM芯片的一半A0A1A2A3A4X

譯

碼

驅

動132...控制

電路I/O電路輸出

驅動輸出A5A6A7A8A923132?32＝1024

存儲單元...123132Y解碼輸入讀/寫片選RAM組成示意圖RAM的組成：工作過程數據讀出2164的數據讀出時序圖*數據寫入DRAM2164的數據寫入時序圖*刷新將存放於每位中的資訊讀出再照原樣寫入原單元的過程——刷新DRAM晶片的刷新時序圖2164A在系統中的連接三、記憶體擴展技術位擴展字擴展字位擴展用多片存儲晶片構成一個需要的記憶體空間，它們在整個記憶體中佔據不同的地址範圍，任一時刻僅有一片（或一組）被選中——記憶體的擴展。位擴展記憶體的存儲容量等於：單元數×每單元的位數當構成記憶體的記憶體晶片的字長小於記憶體單元的字長時，就要進行位擴展，使每個單元的字長滿足要求位元組數字長位擴展例用8片2164A晶片構成64KB記憶體LS158A0~A7A8~A152164A2164A2164ADBABD0D1D7A0~A7位擴展方法：將每片的地址線、控制線並聯，數據線分別引出位擴展特點：記憶體的單元數不變，位數增加字擴展地址空間的擴展。晶片每個單元中的字長滿足，但單元數不滿足擴展原則：每個晶片的地址線、數據線、控制線並聯，僅片選端分別引出，以實現每個晶片佔據不同的地址範圍字擴展例用兩片64K×8位的SRAM晶片構成容量為128KB的記憶體兩片晶片的地址範圍分別為：20000H～2FFFFH和30000H～3FFFFH。字位擴展根據記憶體容量及晶片容量確定所需存儲晶片數進行位擴展以滿足字長要求進行字擴展以滿足容量要求若已有存儲晶片的容量為L×K，要構成容量為M×N的記憶體，需要的晶片數為：（M/L）×（N/K）字位擴展例用32Kb晶片構成256KB的記憶體例5-5用2164構成容量為128KB的記憶體。需要8X8=64片*5.3只讀記憶體（ROM）一、可擦除可編程ROM（EPROM）典型EPROM晶片實例EPROM晶片有多種型號，常用的有：2716(2K×8)、2732（4K×8）、2764（8K×8）、27128（16K×8）、27256（32K×8）等。下麵以2764（8K×8）晶片為例說明EPROM的性能和工作方式。*1、2764的引線（8K×8）**2764讀方式的時序*編程方式在編程方式下，只要將VPP接25V電壓（不同型號晶片所加電壓不同，有的晶片僅須加12.5V電壓，加得不正確會燒壞晶片，應注意器件說明），VCC加＋5V電壓，CE端和OE端為高電平，從地址線A12～A1端輸入需要編程的單元地址，從數據線D7～D0上輸入編程數據，在PGM端加入編程脈衝，寬度為50ms，幅度為TTL高電平，便可實現編程（寫入）功能。應注意，必須在地址和數據穩定之後，才能加入編程脈衝。*EPROM編程器由於對EPROM編程時，每寫入一個位元組都需要加50ms寬的PGM脈衝電流，編程速度太慢，而且容量越大，編程速度越慢。為此，Intel公司開發了一種新的編程方法，比標準方法快5～6倍，按照這一新的編程思路，人們開發了多種型號的EPROM編程器，所以，目前對EPROM編程都使用專門的編程器。*二、電可擦除可編程ROM（EEPROM）特點：可線上編程寫入掉電後內容不丟失電可擦除*EEPROM98C64AREADY/BUSYWE8K×8bit晶片13根地址線（A0~A12）8位數據線（D0~D7）輸出允許信號（OE）寫允許信號（WE）選片信號（CE）狀態輸出端（READY/BUSY）工作方式數據讀出編程寫入擦除位元組寫入：每一次BUSY=0寫入一個位元組自動頁寫入：每一次BUSY=0寫入一頁（1~32位元組）位元組擦除：一次擦除一個位元組片擦除：一次擦除整片EEPROM的應用可通過編寫程式實現對晶片的讀寫，但每寫入一個位元組都需判斷READY/BUSY端的狀態，僅當該端為高電平時才可寫