微电子概论（第3版）课件4-3-1双极集成器件与电路设计-双极结构 .pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

4.3.1双极晶体管结构4.3双极集成器件与电路设计4.3.2双极晶体管寄生效应4.3.3npn晶体管纵向结构设计目录4.3.5双极集成电路版图设计4.3.4npn晶体管横向结构设计4.3.6双极集成电路版图设计实例

0.概述特点：多数载流子和少数载流子都参与有源器件导电；常见电路：TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路、STTL（肖特基势垒二极管-晶体管-晶体管逻辑）电路、ECL（发射极耦合逻辑）电路、I2L（集成注入逻辑）电路优点：速度快

双极晶体管四层三结结构四层三结结构四层三结结构晶体管剖面图隔离：介质隔离、pn结隔离双极电路的隔离

典型npn晶体管结构通常npn管为纵向结构相同条件下，npn比pnp快埋层：降低集电区体电阻典型npn晶体管结构

典型pnp晶体管结构纵向pnp晶体管横向pnp晶体管pnpppn纵向pnp管内部载流子纵向运动，电流放大系数β大于横向pnp管；纵向pnp管集电极通过衬底连接，必须接低电位；横向pnp管连接更灵活横向pnp管放大系数β在10~30左右，结电容较大，特征频率fT较低（几M~几十MHz）通常pnp管可以是纵向结构也可以是横向结构

μA741中的晶体管参数参数类型IS（10－15A）βFRB（Ω）RE（Ω）TF（ns）CjE（pF）CjC（pF）CjS（pF）βRnpn0.395520185150.762.81.367.86.1横向pnp3.159.550015027.40.11.055.11.5纵向pnp17.6568015626.54.052.8—1.5IS为反向饱和电流，βF为正向共射极电流放大系数，βR为反向共射极电流放大系数，CjE、CjC、CjS分别为发射结、集电结、衬底结的结电容，RB、RE为基区和发射区串联电阻，TF为反映特征频率高低的正向渡越时间

4.3.1双极晶体管结构4.3双极集成器件与电路设计4.3.2双极晶体管寄生效应4.3.3npn晶体管纵向结构设目录4.3.5双极集成电路版图设计4.3.4npn晶体管横向结构设计4.3.6双极集成电路版图设计实例

寄生晶体管、寄生电阻包括：有源寄生、无源寄生4.3.2双极晶体管的寄生效应寄生电阻：RI、RV：n外延层扩散电阻，n+、p+注入电阻RII、RIII、RIV：埋层电阻c、b、e接触孔电阻（欧姆接触）有源寄生：寄生pnp管、二极管